Invention Publication
CN1542922A 强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器
失效 - 权利终止
- Patent Title: 强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器
- Patent Title (English): Ferroelectric film, method of manufacturing ferroelectric film, ferroelectric capacitor, method of manufacturing ferroelectric capacitor, and ferroelectric memory
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Application No.: CN200410031531.3Application Date: 2004-03-23
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Publication No.: CN1542922APublication Date: 2004-11-03
- Inventor: 大桥幸司 , 木岛健 , 柄沢润一 , 滨田泰彰 , 名取荣治
- Applicant: 精工爱普生株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee: 精工爱普生株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 李香兰
- Priority: 2003－085784 2003.03.26 JP
- Main IPC: H01L21/31
- IPC: H01L21/31 ; H01L21/82 ; H01L21/8239 ; H01L27/10
Abstract:
本发明提供一种具有良好特性的强电介质膜的制造方法和利用该制造方法来获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法；包括：(a)在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；(b)在所述(a)工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并重复进行所述(a)和(b)的方法进行结晶化。
Public/Granted literature
- CN1321442C 强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器 Public/Granted day:2007-06-13
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