公开(公告)号：CN101863667B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910246239.6

申请日：2002-06-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。

公开(公告)号：CN1983462B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200610172524.4

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01B3/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L41/22 ,  C01G33/00

Abstract: 一种强电介质膜的制造方法，包括使用溶胶凝胶溶液形成强电介质膜的工序，使用至少混合PbZrO3用溶胶凝胶溶液、PbTiO3用溶胶凝胶溶液和PbNbO3用溶胶凝胶溶液的溶液作为所述溶胶凝胶溶液。

公开(公告)号：CN101863667A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910246239.6

申请日：2002-06-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC: C04B35/622

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。

公开(公告)号：CN100537479C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200410071215.9

申请日：2001-06-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC: C04B35/622

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/624 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 陶瓷膜的制造方法，包括使原材料体20结晶化而下层陶瓷膜30的过程，原材料体20，以种类不同的原料混合存在的状态含有，种类不同的原料彼此存在在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机构的至少一方相互不同的关系。按照本发明的制造方法，能够改善陶瓷膜的表面形态。

公开(公告)号：CN1321442C

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200410031531.3

申请日：2004-03-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大桥幸司 ,  木岛健 ,  柄沢润一 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种具有良好特性的强电介质膜的制造方法和利用该制造方法来获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法；包括：(a)在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；(b)在所述(a)工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并重复进行所述(a)和(b)的方法进行结晶化。

公开(公告)号：CN1311541C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200310120416.9

申请日：2003-12-11

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L21/82 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01L21/02356 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/491 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/781 ,  H01G4/1209 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L29/40111 ,  H01L29/516

Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，在基体上形成下部电极，通过在加压到2个大气压以上，且在含有体积比10%以下的氧的气氛中及100℃/分以下的升温速度的条件下，热处理含有复合氧化物的原材料体，在下部电极上，形成由构成复合氧化物的第1金属和构成该下部电极的第2金属的化合物构成的下部合金膜，然后，在下部合金膜上形成结晶化原材料体而成的陶瓷膜，在陶瓷膜上形成上部电极。

公开(公告)号：CN1542922A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031531.3

申请日：2004-03-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 大桥幸司 ,  木岛健 ,  柄沢润一 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种具有良好特性的强电介质膜的制造方法和利用该制造方法来获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法是将含有复合氧化物的原材料体进行结晶化的工序包括在内的强电介质膜的制造方法；包括：(a)在所定压力和温度的第一状态中，进行热处理；(b)在所述(a)工序之后，维持在低于或等于第一状态的压力和温度的第二状态的工序；并重复进行所述(a)和(b)的方法进行结晶化。

公开(公告)号：CN1532917A

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN200410030183.8

申请日：2004-03-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  大桥幸司 ,  名取荣治

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L27/11502 ,  C01G33/006 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/08 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/57 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，首先，在基体上形成下部电极。然后，在下部电极上，形成由含有Pb、Zr、Ti及Nb的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜，在强电介质膜上形成上部电极。然后，以覆盖下部电极、强电介质膜及上部电极的方式，形成保护膜，至少在形成保护膜后，进行使PZTN复合氧化物结晶化的热处理。

公开(公告)号：CN1464862A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802319.6

申请日：2002-06-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC: C01B33/00 ,  H01L27/10 ,  H01B3/12 ,  H01B19/00

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。

公开(公告)号：CN100456476C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410005319.X

申请日：2004-02-05

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本昭人 ,  名取荣治 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 提供一种能高度集成化的强介电存储器。本发明的强介电存储器(1000)包括片状器件(100)，而片状器件(100)具有包含强介电电容器(20)的存储单元阵列(102)，和包含在存储单元阵列(102)上方形成的薄膜晶体管的电路部分(104)。