多层式抗反射层及采用多层式抗反射层的半导体制造方法

Invention Grant

CN1567529B 多层式抗反射层及采用多层式抗反射层的半导体制造方法失效 - 权利终止

Patent Title: 多层式抗反射层及采用多层式抗反射层的半导体制造方法
Patent Title (English): Multi-layer type anti-reflection layer and semiconductor process adopting the same
Application No.: CN03141061.8

Application Date: 2003-06-13
Publication No.: CN1567529B

Publication Date: 2013-04-03
Inventor: 黄则尧 , 陈逸男 , 吴文彬
Applicant: 南亚科技股份有限公司
Applicant Address: 中国台湾桃园县
Assignee: 南亚科技股份有限公司
Current Assignee: 南亚科技股份有限公司
Current Assignee Address: 中国台湾桃园县
Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
Agent 马娅佳
Main IPC: H01L21/027
IPC: H01L21/027 ; H01L21/31 ; H01L21/3205

Abstract:

本发明揭示了一种多层式抗反射层以及采用该多层式抗反射层的半导体制造方法。上述多层式抗反射层适用于一基底，包括一介电质抗反射层形成于该基底上，以及一有机抗反射层形成于该介电质抗反射层上。

Public/Granted literature

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Chinese Patent Announcement Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜