本发明涉及半导体装置。在电容测量电路中，配置PMISFET(1、2、3)和NMISFET(4～9)。布线(W1、W2、W3)，在分别通过PMISFET(1、2、3)，经过充电用电压供给部，与电源端子盘(PST)连接的同时，还分别通过NMISFET(7、8、9)，经过电流取出部，与电流监测用端子盘(41)连接。再使电流监测用端子盘(41)与电流表(45)的探头接触，从而能测量电流(I)。实现了所需的端子盘数量少，而且能将3个以上的导体部件之间的电容(寄生电容)分离开后测量的电容测量电路。