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Invention Grant
CN1581504B 用于双极集成电路的单元结构及其方法 失效 - 权利终止

用于双极集成电路的单元结构及其方法
Abstract:
在一个实施例中，双极单元(31)包括限定了单元有源区(33)的单元边界(31)，双极晶体管第一阵列(41)形成于所述单元有源区(33)内，且用于第一功能。所述第一阵列(41)内的双极晶体管(42)互相平行。所述双极单元(31)还包括形成于所述单元有源区(33)内且用于不同于所述第一功能的第二功能的双极晶体管第二阵列(61)。所述第二阵列(61)内的双极晶体管(62)互相平行，且沿不同于第一阵列(41)中的晶体管(42)的方向定向。
Abstract(English):

In one embodiment, a bipolar cell (31) includes a cell boundary (32) that defines a cell active area (33), a first array of bipolar transistors (41) is formed within the cell active area (33) and configured for a first function. The bipolar transistors (42) within the first array (41) are parallel to each other. The bipolar cell (31) further includes a second array of bipolar transistors (61) formed within the cell active area (33) and configured for a second function that is different than the first function. The bipolar transistors (62) within the second array (61) are parallel to each other and oriented in a different direction than the transistors (42) in the first array (41).

Public/Granted literature
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70 ...双极器件
H01L29/72 ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的
H01L29/73 .....双极结型晶体管
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