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公开(公告)号：CN118974941A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380028620.3
申请日：2023-09-01
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 吉米·罗伯特·汉内斯·弗兰奇 , 马丁·多梅杰
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/08
摘要： 一种制造半导体器件(10)的方法包括提供第一导电类型的半导体区域(14)。第一区域(141)在该半导体区域内具有第一导电类型。该第一区域提供用于JFET器件(110)的JFET沟道区域(141A)。在该第一区域内提供具有第二导电类型的第二区域(31)。该第二区域提供用于MOSFET器件的主体区域和用于该JFET器件的栅极区域。该第二区域包括第一部分(31A)和在该第一部分下面的第二部分(31B)。该第二部分具有比该第一部分更高的峰值掺杂物浓度。在该第二区域内提供具有第一导电类型并与该第二区域自对准的第三区域(37)。该第三区域提供用于该JFET器件的JFET源极。
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公开(公告)号：CN118890557A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410259571.0
申请日：2024-03-07
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
摘要： 本发明涉及纳米光子全局快门传感器。本发明公开了图像传感器像素、成像系统以及用于构建图像传感器像素的方法。图像传感器像素包括光敏区、电荷存储节点、深沟槽隔离和光谱路由器。电荷存储节点被定位在光敏区的背侧上。深沟槽隔离从光敏区的前侧朝向电荷存储节点延伸。光谱路由器被定位在光敏区的前侧上。光谱路由器被配置成将在光谱路由器处接收到的第一波长的光子路由到光敏区中并且远离电荷存储节点。光谱路由器还被配置成将在光谱路由器处接收到的第二波长的光子路由到一个或多个相邻图像传感器像素。
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公开(公告)号：CN118888558A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410274181.0
申请日：2024-03-11
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L25/16
摘要： 本申请涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件可包括第一芯片，该第一芯片包括第一晶圆和设置在其上的第一介电层。该半导体器件可包括第二芯片，该第二芯片包括第二晶圆和设置在其上的第二介电层，该第二芯片具有背侧表面和与该背侧表面相对的前侧表面，该第二芯片在该前侧表面处键合到该第一芯片以在该第一介电层与该第二介电层之间限定键合线。穿过该第二芯片的该背侧表面的开口可延伸到该第二介电层中，并且键合焊盘可设置在该第二晶圆与该键合线之间的该第二介电层内。
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公开(公告)号：CN118871408A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202380027074.1
申请日：2023-09-29
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： C04B37/02 , H01L21/48 , H01L23/14 , H01L23/373 , H01L23/495 , H01L23/31 , C08K3/38 , H01L23/433 , H01L23/367
摘要： 一种集成衬底(88)可包括：导体层(92)；散热器(94)，该散热器包括从其延伸的多个鳍片；和介电层(90)，该介电层包括氮化硼，该介电层利用环氧树脂化学键合到导体层(92)和散热器(94)。
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公开(公告)号：CN112824909B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202011222640.9
申请日：2020-11-05
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 英雄近藤
IPC分类号： G01R22/06
摘要： 本发明涉及一种电量计电路和控制从电池到负载的电流的占空比的方法。该电量计可计算电池的理想能量能力和电池的实际能量能力。该电量计可将能量能力进行比较，并基于该比较结果根据默认占空比或经调节的占空比来确定是否向负载供应电流。该电量计可通过增加占空比的脉冲宽度或增加占空比的总周期来提供经调节的占空比。
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公开(公告)号：CN118786527A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380026217.7
申请日：2023-10-17
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/538
摘要： 在总体方面，组件（200a）包括其中限定有腔体（221a,221b）的有机衬底核心材料（220a）的面板、设置在该腔体中的模块衬底（212）以及设置在该模块衬底上的半导体管芯（216,217）。该组件还包括预浸渍有机衬底材料层（220b1）和金属层（240a）。该模块衬底和该半导体管芯通过该预浸渍有机衬底材料层和该金属层嵌入该腔体中。该金属层与该半导体管芯或该模块衬底中的至少一者电耦合。
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公开(公告)号：CN118783767A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410263531.3
申请日：2024-03-08
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： A·扎法拉纳
摘要： 本发明涉及用于多级功率转换器的交叉电容器。用于功率转换的系统、多级功率转换器以及用于操作多级功率转换器的方法。该系统包括多级功率转换器和控制器。多级功率转换器包括第一级电路和第二级电路。第一级电路包括第一对场效应晶体管(FET)、第一输出电感器、和耦接在第一对FET之间的第一电容器。第二级电路包括第二对FET、第二输出电感器、和耦接在第二对FET之间的第二电容器。在第一接通时间期间，控制器被配置为导通第一级电路并且将第一电容器的阴极端子耦接到第二电容器的阳极端子。在第二接通时间期间，控制器被配置为导通第二级电路并且将第二电容器的阴极端子耦接到第一电容器的阳极端子。
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公开(公告)号：CN118737855A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410078145.7
申请日：2024-01-19
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/48 , H01L21/78 , H01L23/488
摘要： 形成半导体封装件的方法的具体实施可包括：将多个管芯耦接到焊盘载体，该焊盘载体包括载体和多个焊盘；将该多个管芯引线键合到该多个焊盘；在该多个管芯上施加模制化合物；移除该载体；以及将多个半导体封装件切单。
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公开(公告)号：CN112511002B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202010875531.0
申请日：2020-08-27
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： M·哈森
摘要： 本申请涉及DC‑DC转换器和DC‑DC开关模式电源及其方法。该方法包括驱动第一晶体管在导通时将第一电流传导到电感器中，以及驱动第二晶体管在导通时将第二电流传导到该电感器中。响应于该第一电流和该第二电流的副本而生成第一感测电流。响应于该第二电流和该第一电流的副本而生成第二感测电流。当该第一晶体管不导通时，响应于该第二电流的该副本而调整该第一感测电流。当该第二晶体管不导通时，响应于该第一电流的该副本而调整该第二感测电流。响应于该第一感测电流和该第二感测电流的总和而控制该第一晶体管和该第二晶体管的导通时间。
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公开(公告)号：CN118677380A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410290976.0
申请日：2024-03-14
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
摘要： 本公开涉及斩波稳定放大器。一种高电压斩波稳定放大器可包括两条路径以补偿非理想电气参数。通向该放大器的主输入的第一路径可包括第一多路复用器接口电路以限制该放大器的该主输入处的电压。通向该放大器的辅助输入的第二路径可包括斩波放大器电路。虽有该第一多路复用器接口电路，但该第一路径上的转换状态可在该第二路径中激发可对该信号源产生负面影响的电流。因此，所公开的放大器还包括第二多路复用器接口电路，该第二多路复用器接口电路可在转换状态时解耦该第二路径。该第二多路复用器接口电路由窗口浮动比较器驱动，该窗口浮动比较器根据主输入上的这些电压供电。在转换状态期间，稳定增强器电路将该第二路径上的某些节点保持处于参考电压。
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