发明公开
- 专利标题: 硒化镉和碲化镉量子点的合成方法
- 专利标题(英): Synthesis method for cadmium selenide and cadmium telluride quantum dot
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申请号: CN200410011201.8申请日: 2004-11-05
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公开(公告)号: CN1631793A公开(公告)日: 2005-06-29
- 发明人: 王强 , 潘道成 , 聂伟 , 蒋世春 , 姬相玲 , 安立佳
- 申请人: 中国科学院长春应用化学研究所
- 申请人地址: 吉林省长春市人民大街5625号
- 专利权人: 中国科学院长春应用化学研究所
- 当前专利权人: 常州储能材料与器件研究院
- 当前专利权人地址: 吉林省长春市人民大街5625号
- 主分类号: C01G11/00
- IPC分类号: C01G11/00 ; C01B19/04
摘要:
本发明属于溶剂热法合成硒化镉和碲化镉量子点的方法,该方法是以含2~18个碳原子的烷基羧酸镉或氧化镉为镉源,硒粉和碲粉分别为硒源和碲源,镉源和硒源或碲源的摩尔比为5∶1-1∶5,并使用三辛基膦溶解硒粉和碲粉,油酸、十六烷基胺或三辛基氧化膦为包裹剂,镉源和包裹剂的摩尔比为1∶2-1∶6,苯、甲苯、环己烷、正己烷或正庚烷为溶剂,镉源的浓度为0.001-0.015M,在高压釜内140-180℃的条件下加热0.8-16小时来完成反应的,并且通过改变反应时间获得不同尺寸的硒化镉和碲化镉量子点。合成的硒化镉和碲化镉量子点具有较窄的尺寸分布,表现为较窄的荧光发射,硒化镉量子点荧光发射峰半峰宽为22-33nm,碲化镉量子点荧光发射峰半峰宽为29-35nm。
公开/授权文献
- CN1299998C 硒化镉或碲化镉量子点的合成方法 公开/授权日:2007-02-14
IPC分类: