发明公开
- 专利标题： 用于等离子体RF源的度量的多速率处理
- 专利标题（英）： Multirate processing for metrology of plasma RF source
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申请号： CN03808081.8申请日： 2003-04-14
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公开(公告)号： CN1647237A公开(公告)日： 2005-07-27
- 发明人: 戴维·J·库穆 , 迈克尔·L·柯克
- 申请人： ENI技术公司
- 申请人地址： 美国纽约州
- 专利权人： ENI技术公司
- 当前专利权人： MKS仪器公司,
- 当前专利权人地址： 美国纽约州
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 酆迅
- 优先权： 10/192,196 2002.07.10 US
- 国际申请： PCT/US2003/011266 2003.04.14
- 国际公布： WO2004/008502 EN 2004.01.22
- 进入国家日期： 2004-10-10
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H03H7/00
摘要：
一种RF发生器被提供用于RF等离子体系统中。该RF发生器包括：在一个调谐频率上产生RF功率信号的功率源；适合于检测该RF功率信号并且产生表示该RF功率信号的模拟信号的传感器单元，其中该模拟信号包括所需的频率成分和多个干扰频率成分；以及适合于从该传感器单元接收模拟信号并且把该模拟信号频带限制在一个预定带宽内的传感器信号处理单元，其中该预定带宽通过所需的频率成分，并且排除干扰的频率成分。
公开/授权文献
- CN100339943C 用于等离子体RF源的度量的多速率处理 公开/授权日：2007-09-26
