发明公开
CN1649111A 自对准内栅凹陷沟道晶体管及其制造方法
无效 - 撤回
- 专利标题： 自对准内栅凹陷沟道晶体管及其制造方法
- 专利标题（英）： Self-aligned inner gate recess channel transistor and method of forming the same
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申请号： CN200410010450.5申请日： 2004-07-22
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公开(公告)号： CN1649111A公开(公告)日： 2005-08-03
- 发明人: 金志永 , 赵昶贤 , 申树浩 , 郑泰永
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 李晓舒; 魏晓刚
- 优先权： 50459/2003 2003.07.23 KR; 10/730,996 2003.12.10 US
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
本发明公开了一种半导体衬底中的自对准内栅凹陷沟道，包括：形成在衬底有源区中的凹槽；形成在凹槽底部上的栅极电介质层；形成在凹槽侧壁上的凹槽内侧壁隔离壁；形成在凹槽内的栅极使得栅极的上部伸出衬底的上表面之上，其中凹槽内侧壁隔离壁的厚度使栅极的中间部分的宽度小于栅极突出的上部和下部；形成在栅极层上的栅极掩模；形成在栅极的突出的上部和栅极掩模上的栅极侧壁隔离壁；以及在与栅极侧壁隔离壁相邻的衬底有源区中形成的源极/漏极区。
IPC分类:
