- 专利标题： 以减少远处散射的栅极氧化制造高性能金属氧化物半导体晶体管的方法
- 专利标题（英）： Gate oxide process methods for high performance mos transistors by reducing remote scattering
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申请号： CN03811420.8申请日： 2003-05-13
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公开(公告)号： CN1656596A公开(公告)日： 2005-08-17
- 发明人: 金铉席 , J·杰昂
- 申请人： 先进微装置公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 先进微装置公司
- 当前专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 戈泊; 程伟
- 优先权： 10/151,269 2002.05.20 US
- 国际申请： PCT/US2003/015194 2003.05.13
- 国际公布： WO2003/100835 EN 2003.12.04
- 进入国家日期： 2004-11-19
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L29/51 ; H01L29/49
摘要：
本发明是关于一种MOS晶体管结构(200，210，400)，和一种制造方法(300，500)，提供高k电介质栅极绝缘体(202，402)以降低栅极漏电流并同时减少远处散射，由此改善晶体管载流子迁移率。
公开/授权文献
- CN100380576C 以减少远处散射的栅极氧化制造高性能金属氧化物半导体晶体管的方法 公开/授权日：2008-04-09
IPC分类:
