发明公开
CN1679124A 薄膜电容器及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 薄膜电容器及其制造方法
- 专利标题（英）： Thin film capacitor and method for manufacturing same
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申请号： CN03820706.0申请日： 2003-08-15
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公开(公告)号： CN1679124A公开(公告)日： 2005-10-05
- 发明人: 栗原和明 , 盐贺健司 , 约翰·大卫·巴尼基
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县川崎市
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县川崎市
- 代理机构： 隆天国际知识产权代理有限公司
- 代理商 高龙鑫; 王玉双
- 优先权： 251267/2002 2002.08.29 JP
- 国际申请： PCT/JP2003/010392 2003.08.15
- 国际公布： WO2004/036607 JA 2004.04.29
- 进入国家日期： 2005-02-28
- 主分类号： H01G4/33
- IPC分类号： H01G4/33 ; H01L27/04
摘要：
本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有：单晶硅基板；在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层；分别与下部电极层、上部电极层的多个位置连接的多个导电体凸起。
公开/授权文献
- CN100437849C 薄膜电容器及其制造方法 公开/授权日：2008-11-26
