公开(公告)号：CN101276953A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810087408.1

申请日：2008-03-27

申请人： 富士通株式会社

发明人： 山中一典 ,  赤濑川章彦 ,  栗原和明

IPC分类号： H01P1/203 ,  H01P7/08

CPC分类号： H01P1/203

摘要： 公开了一种超导滤波器装置，包括电介质基底；补丁型谐振器图案，由超导材料制成，位于该基底上；以及馈线，在该谐振器图案的邻近处延伸。该馈线包括传输线部，用于信号输入和信号输出，该传输线部向谐振器图案延伸；对面部，从传输线部弯折以面向谐振器图案；端部，向背离谐振器图案的方向从该对面部弯折。

公开(公告)号：CN1988083A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610077181.3

申请日：2006-04-27

申请人： 富士通株式会社

发明人： 栗原和明 ,  盐贺健司 ,  约翰·大卫·巴尼基 ,  石井雅俊

IPC分类号： H01G4/33 ,  H01G13/00 ,  H01G2/06 ,  H05K1/18 ,  H05K3/30

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01G4/33 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H05K1/0231 ,  H05K1/162 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/10712 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： 一种薄膜电容器，包括：电容器元件(20)，形成在基础衬底(10)上且包含第一电容器电极(14)、形成在第一电容器电极(14)上的电容器介电膜(16)以及形成在电容器介电膜(16)上的第二电容器电极(18)；引出电极(26a、26b)，从第一电容器电极(14)或第二电容器电极(18)引出，且由能防止氢或水扩散的导电阻挡膜形成；以及外部连接电极(34a、34b)，用于与外部连接且连接至引出电极(26a、26b)。

公开(公告)号：CN1986051A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610073503.7

申请日：2006-04-12

申请人： 富士通株式会社

发明人： 栗原和明 ,  若村正人 ,  长沼靖雄 ,  安曾德康

IPC分类号： B01J27/14 ,  B01J37/02 ,  B01J37/03 ,  C01B25/32

CPC分类号： B01J35/004 ,  B01D2255/20707 ,  B01D2255/802 ,  B01J27/18 ,  B01J35/1014 ,  B01J37/0215 ,  B01J37/03 ,  C02F2305/10

摘要： 本发明提供了一种光催化剂，其对各种物质具有超级吸附和分解性能。这种光催化剂包括涂布有钛磷灰石的多孔体。该多孔体优选为硅藻土。该光催化剂能够通过共沉淀法或者溶胶－凝胶法形成。

公开(公告)号：CN1679124A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03820706.0

申请日：2003-08-15

申请人： 富士通株式会社

发明人： 栗原和明 ,  盐贺健司 ,  约翰·大卫·巴尼基

IPC分类号： H01G4/33 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40

摘要： 本发明提供一种包含单晶高介电常数电介质层的薄膜电容器。该薄膜电容器具有：单晶硅基板；在单晶硅基板上外延生长的单晶中间层；在单晶中间层上外延生长的单晶下部电极；在下部电极层上外延生长的单晶高介电常数电介质层；在单晶高介电常数电介质层上方形成的上部电极层；分别与下部电极层、上部电极层的多个位置连接的多个导电体凸起。

公开(公告)号：CN101271890A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810091832.3

申请日：2005-11-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 栗原和明 ,  盐贺健司 ,  约翰·D·巴尼基

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L23/482 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19106

摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法与电容器结构及其制造方法。该半导体器件包括转接板和半导体芯片。转接板包括：Si衬底；多个通路，通过绝缘材料在穿过Si衬底的相应通孔中设置；薄膜电容器，设置于Si衬底的第一主表面上，以使其电连接至通路；以及多个外部连接端子，设置于Si衬底的第二主表面上，以使其电连接至通路。第二主表面背对第一主表面。半导体芯片设置于第一主表面或第二主表面上，以使其电连接至通路。其中Si衬底的厚度小于通孔的直径。由此，可提供可高频运行及可低成本制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN1964077A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610163017.4

申请日：2003-07-23

申请人： 富士通株式会社

发明人： 山岸康男 ,  盐贺健司 ,  约翰·D.·班尼基 ,  栗原和明

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L25/00 ,  H01L21/02 ,  H01G4/00

CPC分类号： G01R1/07378 ,  G01R31/2886 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明公开一种电容器及其制造方法和包含该电容器的半导体器件。其中，所述电容器包括：介电膜；形成在所述介电膜的第一主表面上的第一电极膜；形成在所述介电膜的第二主表面上的第二电极膜；从所述第一电极膜延伸到由所述介电膜和所述第一和第二电极膜所形成的叠层结构的第一侧面的第一互连部分；以及从所述第二电极膜延伸到所述第一侧面的第二互连部分，形成在所述叠层结构的第二侧面上的树脂层。

公开(公告)号：CN1306477C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02107505.0

申请日：2002-03-14

申请人： 富士通株式会社

发明人： 三田刚 ,  肥田胜春 ,  栗原和明

IPC分类号： G11B5/58 ,  G11B5/596 ,  G11B21/10

CPC分类号： G11B5/5552

摘要： 一种磁头组件和记录媒体驱动器，包括：支撑体；磁头滑动器；被放置于支撑体和磁头滑动器之间的压电致动器设备，用于在电压的供给被切断时建立磁头滑动器的标准姿态，所述压电致动器设备响应所述电压的供给产生围绕旋转轴改变磁头滑动器姿态的力偶；以及合并到压电致动器设备中的至少一个有源压电传感器层，该有源压电传感器层响应于在电压施加方向上电压的供给而享有极化的建立。本发明的磁头滑动器旋转时磁头滑动器中的惯性力矩能被减少，振动系统中的自然频率能被提高，电信号或伺服信号的频率能被在更宽频率范围内设置。

公开(公告)号：CN1574357A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047968.6

申请日：2004-06-09

申请人： 富士通株式会社

发明人： 近藤正雄 ,  栗原和明

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/00 ,  H01L21/316 ,  C01G1/00

CPC分类号： C30B29/22 ,  C30B23/02 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H03H9/02574

摘要： 通过在半导体基片上进行外延生长并且保持整合性，提供了一种极化作用增强的多层膜结构。这种多层膜结构包括以氧化锆为主要成分的薄层、具有简单钙钛矿结构的薄层和中间层，所述以氧化锆为主要成分的薄层使外延生长得以进行，所述具有简单钙钛矿结构的薄层的(001)面相对于所述以氧化锆为主要成分的薄层呈45°的面内旋转，并进行外延生长，所述中间层位于所述以氧化锆为主要成分的薄层和所述具有简单钙钛矿结构的薄层之间。

公开(公告)号：CN1060316A

公开(公告)日：1992-04-15

申请号：CN91109955.7

申请日：1988-04-02

申请人： 富士通株式会社

发明人： 栗原和明 ,  佐佐木谦一 ,  河原田元信 ,  越野长明

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C01B31/06 ,  H01L21/205

摘要： 汽相淀积金刚石的方法：在热等离子体化学汽相淀积装置的阴阳极之间通入放电气的同时进行电弧放电；通过向形成的等离子流中加入气态碳化物使气态碳化合物自由基化；以及使所述的自由基化的等离子流碰撞待处理的基片，从而在所述基片上形成一层金刚石膜。

公开(公告)号：CN100500289C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610073503.7

申请日：2006-04-12

申请人： 富士通株式会社

发明人： 栗原和明 ,  若村正人 ,  长沼靖雄 ,  安曾德康

IPC分类号： B01J27/14 ,  B01J37/02 ,  B01J37/03 ,  C01B25/32

CPC分类号： B01J35/004 ,  B01D2255/20707 ,  B01D2255/802 ,  B01J27/18 ,  B01J35/1014 ,  B01J37/0215 ,  B01J37/03 ,  C02F2305/10

摘要： 本发明提供了一种光催化剂，其对各种物质具有超级吸附和分解性能。这种光催化剂包括涂布有钛磷灰石的多孔体。该多孔体优选为硅藻土。该光催化剂能够通过共沉淀法或者溶胶—凝胶法形成。