发明公开
CN1705178A 半导体激光元件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体激光元件
- 专利标题（英）： Semiconductor laser device
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申请号： CN200510075919.8申请日： 2005-06-01
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公开(公告)号： CN1705178A公开(公告)日： 2005-12-07
- 发明人: 和田一彦 , 宫嵜启介 , 森本泰司 , 辰巳正毅 , 上田祯亮
- 申请人： 夏普株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府
- 专利权人： 夏普株式会社
- 当前专利权人： 夏普株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 李贵亮; 杨梧
- 优先权： 164619/04 2004.06.02 JP
- 主分类号： H01S5/40
- IPC分类号： H01S5/40 ; H01S5/22 ; H01S5/323 ; H01S5/343
摘要：
一种半导体激光元件及其制造方法，该半导体激光元件中，在p型GaAs盖层的层厚和p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层的层厚相加的层厚与p型GaAs盖层的层厚和p型AlGaInP第二上包层的层厚相加的层厚的比跟干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlXGa1－XAs(X=0.550)第二包层时的蚀刻速率与干蚀刻p型GaAs盖层以及p型AlGaInP第二上包层时的蚀刻速率的比大致相同。
公开/授权文献
- CN100379106C 半导体激光元件 公开/授权日：2008-04-02
