发明公开
CN1710722A 纵向量子点-浮栅尖端结构、制备方法和存储器
失效 - 权利终止
- 专利标题: 纵向量子点-浮栅尖端结构、制备方法和存储器
- 专利标题(英): Longitudinal quantum polka-dot floating grid tip structure, preparing method and storage thereof
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申请号: CN200510012184.4申请日: 2005-07-15
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公开(公告)号: CN1710722A公开(公告)日: 2005-12-21
- 发明人: 邓宁 , 潘立阳 , 刘志弘 , 陈培毅 , 魏榕山
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市北京100084-82信箱
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市北京100084-82信箱
- 主分类号: H01L29/788
- IPC分类号: H01L29/788 ; H01L27/115 ; H01L21/336 ; H01L21/8247
摘要:
纵向量子点-浮栅尖端结构、制备方法和存储器属于存储器设计技术领域。该结构特征是,在衬底上方还有一层SiGe量子点,多晶硅浮栅的下部为尖端结构。多晶硅浮栅下部的尖端与SiGe量子点的顶端是自对准的。该结构的制备方法包含:在Si衬底上制备SiGe量子点;在SiGe量子点上外延生长硅薄膜;干氧氧化,在量子点正上方形成与量子点纵向自对准的凹坑;在氧化层上淀积多晶硅浮栅,形成与SiGe量子点自对准的浮栅尖端结构。本发明还提出了采用了该结构的存储器。在施加相同电压时,该机构能提高隧穿电流密度。应用于半导体非挥发存储器,可在不减小氧化层厚度时降低工作电压,从而降低隧穿氧化层的平均电场,提高了存储器的可靠性。
公开/授权文献
- CN100356585C 纵向量子点-浮栅尖端结构、制备方法和存储器 公开/授权日:2007-12-19