发明公开
CN1732286A 使用8族(Ⅷ)金属茂前体的沉积方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 使用8族(Ⅷ)金属茂前体的沉积方法
- 专利标题（英）： Deposition processes using group 8 (VIII) metallocene precursors
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申请号： CN200380107839.5申请日： 2003-10-30
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公开(公告)号： CN1732286A公开(公告)日： 2006-02-08
- 发明人: D·M·汤普森 , C·A·霍弗 , J·D·佩克 , M·M·利特温
- 申请人： 普莱克斯技术有限公司
- 申请人地址： 美国康涅狄格州
- 专利权人： 普莱克斯技术有限公司
- 当前专利权人： 普莱克斯技术有限公司
- 当前专利权人地址： 美国康涅狄格州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 赵苏林
- 优先权： 60/422,946 2002.10.31 US; 60/422,947 2002.10.31 US; 60/426,284 2002.11.14 US; 60/427,461 2002.11.18 US; 60/446,320 2003.02.07 US; 60/453,717 2003.04.18 US; 60/453,718 2003.04.18 US; 60/453,719 2003.04.18 US; 10/685,777 2003.10.16 US; 10/685,785 2003.10.16 US; 10/686,254 2003.10.16 US
- 国际申请： PCT/US2003/034494 2003.10.30
- 国际公布： WO2004/041753 EN 2004.05.21
- 进入国家日期： 2005-06-28
- 主分类号： C23C16/18
- IPC分类号： C23C16/18
摘要：
本发明公开一种制备薄膜、涂层或者粉末的方法，此方法应用通式CpMCp’的金属茂或者金属茂类前体，其中M为选自Ru、Os和Fe的金属；Cp为第一个取代的环戊二烯基或者环戊二烯基类(例如茚基)部分，该部分包含至少一个取代基D1，其中D1为X；Ca1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2(C＝O)Ca1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2(C＝O)OCa1Hb1Xc1或者Ca2Hb2Xc2O(C＝O)Ca1Hb1Xc1；Cp′是第二个取代的环戊二烯基或者环戊二烯基类(例如茚基)部分，该部分包含至少一个取代基D1′，D1′为X；Ca1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2(C＝O)Ca1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2OCa1Hb1Xc1；Ca2Hb2Xc2(C＝O)OCa1Hb1Xc1或者Ca2Hb2Xc2O(C＝O)Ca1Hb1Xc1。D1与D1′彼此不同。X为卤素原子或者NO2；a1为1到8的整数；b1为0到2(a1)+1－c1的整数；c1为0到2(a1)+1－b1的整数；b1+c1至少为1；a2为0到8的整数；b2为0到2(a2)+1－c2的整数；c2为0到2(a2)+1－b2的整数；本方法可用于电子器件的制造或加工。
公开/授权文献
- CN100543178C 使用8族(Ⅷ)金属茂前体的沉积方法 公开/授权日：2009-09-23
IPC分类:
