发明公开
CN1763271A 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法
- 专利标题（英）： Anion and cation co-doped PbWO4 crystal and its growth method
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申请号： CN200510029744.7申请日： 2005-09-16
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公开(公告)号： CN1763271A公开(公告)日： 2006-04-26
- 发明人: 严东生 , 殷之文 , 廖晶莹 , 沈炳孚 , 童乃志 , 邵培发 , 袁晖 , 谢建军 , 叶崇志 , 周乐萍 , 李培俊 , 吴泓澍 , 杨培志 , 倪海洪 , 刘光煜
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市定西路1295号
- 代理机构： 上海智信专利代理有限公司
- 代理商 潘振甦
- 主分类号： C30B29/32
- IPC分类号： C30B29/32 ; C30B11/00
摘要：
本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3％的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF2和Y2O3或BaF2和Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600－1000ppm(at％)和100－300ppm(at％)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
公开/授权文献
- CN1306075C 阴阳离子同时双掺杂的高光产额钨酸铅晶体及其生长方法 公开/授权日：2007-03-21
IPC分类:
