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公开(公告)号：CN1306075C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510029744.7
申请日：2005-09-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3%的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF2和Y2O3或BaF2和Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600-1000ppm(at%)和100-300ppm(at%)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN1493546A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN03150697.6
申请日：2003-09-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C04B35/499 , C04B35/472 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L41/187 , H01B3/12
摘要： 本发明涉及一种定向凝固方法制备铌镁酸铅－钛酸铅(PMN－PT)压电陶瓷的技术。按所需铌镁酸铅(PMN)/钛酸铅(PT)的比例配制原料并合成为钙钛矿结构的固溶体粉体，压块放入不易与原料发生化学作用的坩埚中，在温度梯度为10－80℃/cm的高温炉中，加热到1350℃－1450℃，保温1－48小时随后以0.4－3mm/h的速度把坩埚移出高温区并沿温度梯度方向逐渐凝固，形成定向陶瓷。所得到的PMN－PT压电陶瓷比普通压电陶瓷的压电性能有大幅提高，压电常数d33可达1500pC/N，耦合系数k33可达0.82。
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公开(公告)号：CN1088147A
公开(公告)日：1994-06-22
申请号：CN92108647.4
申请日：1992-11-30
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 一种液相包裹-热反应电子陶瓷微粉制备方法，采用一部分组分制备成水溶液，然后用喷雾干燥工艺，使其均匀地包裹到另一部分组分的固相中间体颗粒的表面上，再经热反应制得各种多组分的电子陶瓷微粉。该粉体具有高烧结性、化学均匀性好，颗粒尺寸细微、均一，形状似球形并处于良好的分散状态等特点。不需要昂贵的设备和原料，便于工业化生产。解决了电子陶瓷微粉化学制备中，难溶组分难以制备成溶液或溶液浓度低、制备成本高及粉体性能差等问题。用于偏银酸盐、铌酸盐、钛酸盐、锆钛酸盐及PTC陶瓷粉体的制备。
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公开(公告)号：CN1015500B
公开(公告)日：1992-02-12
申请号：CN88105506
申请日：1988-04-14
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC分类号： Y02E40/64 , Y02E40/641
摘要： 一种采用酒精为沉淀介质，化学制备高Tc氧化物超导粉体的方法得到了Y(Eu)-Ba-Cu系统的草酸盐共沉淀产物。热分解草酸盐得到了高纯度、高烧结活性、化学均匀性良好的粉体。粉体的颗粒尺寸是细微的。颗粒形状为球形并处于良好的分散状态。本发明的关键是提供了一种廉价的沉淀介质一酒精，使Y(Eu)-Ba-Cu系草酸盐能够全部同时沉淀。解决了Y(Eu)-Ba-Cu草酸盐在水溶液中不能同时沉淀的问题。沉淀介质的用量为混合溶液的10-20倍。草酸用量为化学计量比的1.2-1.5倍，沉淀时pH值为6-7。
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公开(公告)号：CN1080777C
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN99113472.9
申请日：1999-02-11
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 一种弛豫铁电单晶铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT)的制备方法，属晶体生长领域。本发明提供的制备方法，包括：原料处理、升温熔化、生长和降温一系列单晶生长过程。其中坩埚下降方向的最大温度梯度大于50℃/cm，S籽晶/S晶体大于70%，用本发明的技术可以生长出直径大于40mm，长度大于60mm的PMNT单晶，其压电性能可以达到d33＞3000pC/N，k33＞90%，完全可以满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用对晶体材料的要求。
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公开(公告)号：CN1023240C
公开(公告)日：1993-12-22
申请号：CN90102828.2
申请日：1990-03-31
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明给出在氧化气氛炉中生长高抗辐照氟化钡闪烁晶体的新技术。本发明的核心是防止和消除在氧化气氛下可能出现的氧化污染和水解。主要技术有：制备氧离子高度净化的高纯BaF2原料；防止水解和氧化作用的各项技术；如何使用生长氧化物单晶的引下炉和铂坩埚于氟化物晶体等。本发明由于无需掺入Pb等有害杂质，所以制备的晶体抗辐照能力强。并且投资省、成本低，宜于大批量生产大尺寸优质BaF2闪烁晶体。
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公开(公告)号：CN1036858A
公开(公告)日：1989-11-01
申请号：CN88105506
申请日：1988-04-14
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01B12/02
CPC分类号： Y02E40/64 , Y02E40/641
摘要： 一种采用酒精为沉淀介质，化学制备高Tc氧化物超导粉体的方法得到了Y(Eu)-Ba-Cu系统的草酸盐共沉淀产物。热分解草酸盐得到了高纯度、高烧结活性、化学均匀性良好的粉体。粉体的颗粒尺寸是细微的。颗粒形状为球形并处于良好的分散状态。本发明的关键是提供了一种廉价的沉淀介质—酒精，使Y(Eu)-Ba-Cu系草酸盐能够全部同时沉淀，解决了Y(Eu)-Ba-Cu草酸盐在水溶液中不能同时沉淀的问题。沉淀介质的用量为混合溶液的10-20倍。草酸用量为化学计量比的1.2-1.5倍，沉淀时pH值为6-7。
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公开(公告)号：CN1763271A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510029744.7
申请日：2005-09-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3％的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF2和Y2O3或BaF2和Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600－1000ppm(at％)和100－300ppm(at％)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
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公开(公告)号：CN1410603A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02145449.3
申请日：2002-11-15
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅－钛酸铅单晶(PINT)，属于晶体生长领域。其特征在于晶体组成为x PIN－(1－x)PT，其中PIN代表Pb(In1/2Nb1/2)O3，PT代表PbTiO3，x＝0.50－0.70；晶体生长炉温范围1350－1430℃，坩埚下降的速率为0.1－2.0mm/h，最大温度梯度不小于50℃/cm；以异质同构的PMNT单晶作籽晶，S籽晶/S晶体≥70％；选用密封的铂坩埚作为生长坩埚。用本发明的技术可以生长出直径大于40mm，长度大于60mm的PINT单晶，其压电性能可以达到d33＞2000pC/N，k33＞90％，不仅可以满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用对晶体材料性能的要求，而且可以满足超声成像及高应变驱动器等高技术应用对晶体材料的使用温度要求。
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