本发明公开了一种钉扎光电二极管，其具有增加的电子容量，以及一种用于形成该钉扎光电二极管的方法。本发明提供了一种钉扎光电二极管结构，其包括衬底基底，在其上方是第一半导体材料层。提供了第一导电类型的基层，其中第一导电类型的基层是衬底基底或是衬底基底上的掺杂层。至少一个第二导电类型的掺杂区域位于所述第一层的表面下方，并且延伸以与基层形成第一结。第一导电类型的掺杂表面层位于至少一个第二导电类型的区域上，并且与所述至少一个第二导电类型的区域形成第二结。