公开(公告)号：CN1894630B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200480037132.6

申请日：2004-10-13

申请人： 微米技术有限公司

发明人： 杰弗里·L·麦奇 ,  威廉·A·斯坦顿

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70291 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70141 ,  G03F7/70566

摘要： 公开了用于控制引导到微光刻工件上的辐射的特性的方法和装置。根据本发明一个实施例的装置包括被定位以将辐射束向着工件引导的辐射源，其中辐射束具有幅度分布、相位分布和偏振分布。自适应结构可以位于辐射束的路径中，并且可以具有多个独立可控、且可选择性透射辐射的元件，其中每一元件被配置为改变辐射束的幅度分布、相位分布和偏振分布中至少一个。控制器可以可操作地连接到自适应结构，以引导自适应结构的元件从一个状态改变为多个其他状态之一。因此，自适应结构可以提供具有多个辐射束特性的多个连续可变分布的辐射束。

公开(公告)号：CN101395551B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200780007134.4

申请日：2007-03-29

申请人： 微米技术有限公司

发明人： 埃里克·卡曼

IPC分类号： G05B99/00 ,  G06N7/00

CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C7/1048 ,  G11C11/404 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4093 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/84 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10802 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7841 ,  H01L29/785

摘要： 一种存储器单元阵列和具有存储器单元阵列的器件(即集成电路器件，例如逻辑器件(比如微控制器或微处理器)或存储器器件(比如离散存储器))包括在晶体管体中存储电荷的电浮置体晶体管以及用于读取、控制和/或操作这样的存储器单元阵列和这样的器件的技术。该存储器单元阵列和器件包括可变和/或可编程字长。字长与所选存储器单元行的所选存储器单元(经由地址数据来确定)有关。在一个实施例中，字长可以是少于或等于存储器阵列的所选行中存储器单元总数的所选行中任何存储器单元数目。在一个方面中，可以针对存储器阵列的所选行的所选存储器单元执行写入和/或读取操作，而所选行的未选存储器单元不受干扰。

公开(公告)号：CN101261880B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200810091578.7

申请日：2003-02-10

申请人： 微米技术有限公司

发明人： S·L·卡斯珀 ,  K·G·迪斯曼 ,  G·胡斯

IPC分类号： G11C16/28 ,  G11C13/02 ,  G06F15/78

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/79

摘要： 提供了一种用于检测可编程导体随机存取存储器(PCRAM)单元的电阻等级的读取电路。通过激活存取晶体管、根据升高的行线电压将电压电势差引入PCRAM单元的两端。将数字线和数字互补参考线预充电为第一预定电压。正被读出的单元具有预充电电压，所述预充电电压经由PCRAM单元的可编程导体存储器元件的电阻而放电。将数字线处读取的电压和基准导体处的电压进行比较。如果数字线处的电压大于参考电压，那么将所述单元作为高电阻值(例如逻辑高)读取；然而，如果测量于数字线的电压低于参考电压，那么将所述单元作为低电阻值(例如逻辑低)读取。

公开(公告)号：CN1922862B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200480042183.8

申请日：2004-12-16

申请人： 微米技术有限公司

发明人： S·L·巴纳 ,  G·莫法特

IPC分类号： H04N5/345 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

CPC分类号： H04N5/378 ,  H04N5/343 ,  H04N5/3454 ,  H04N5/347

摘要： 具有开关电路的成像器，该开关电路位于像素阵列及相应的读出电路之间，并且与所述像素阵列及相应的读出电路相连接。在一个实施例中，所述开关位于列采样保持电路之中；在另一个实施例中，所述开关位于列采样保持电路与读出电路之间。所述开关电路可保证将来自于列采样保持电路的信号导入被激活的读出电路中，其允许选择性地激活、禁止读出电路。通过禁止读出电路，可以减少所述成像器的电力损耗。

公开(公告)号：CN101930794A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910221782.0

申请日：2001-07-27

申请人： 微米技术有限公司

发明人： F·F·鲁帕瓦尔

IPC分类号： G11C11/4094

CPC分类号： G11C7/103 ,  G11C7/1018 ,  G11C7/1072 ,  G11C16/20 ,  G11C16/22 ,  G11C16/26

摘要： 公开了一种具有状态脉冲串输出的同步快闪存储器，同步快闪存储器包括非易失性存储单元的阵列。存储器阵列被排列成行和列，以及可被进一步排列成可寻址的块。数据通信连接被使用来与外部设备(诸如，处理器或其他存储器控制器)进行双向数据通信。存储器可以在一系列时钟周期期间在数据通信连接上输出来自存储寄存器的数据，以提供寄存器数据的脉冲串。存储器可以按照规定的时钟等待时间值提供寄存器数据。寄存器数据可包括状态数据、操作设置值数据、制造识别、和存储器器件识别。

公开(公告)号：CN101740106A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910260401.X

申请日：2005-01-11

申请人： 微米技术有限公司

发明人： J·S·蔡 ,  T·A·曼宁

IPC分类号： G11C7/10

CPC分类号： G11C7/1078 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1063 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/109 ,  G11C7/1093 ,  G11C2207/2254

摘要： 一种存储设备具有数据收发器、写选通收发器和读选通收发器。数据收发器将输入数据输入存储设备，以及从存储设备接收输出数据。写选通收发器传输输入数据的定时信息。读选通收发器传输输出数据的定时信息。该存储设备也具有用于生成辅助信息的辅助电路。该辅助信息包括与输入数据和输出数据的定时信息不同的信息。该辅助电路使用写和读收发器来向存储设备发送辅助信息和从该设备接收辅助信息。

公开(公告)号：CN1985379B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580023850.2

申请日：2005-04-27

申请人： 微米技术有限公司

发明人： 姜彤弻 ,  J·M·布鲁克斯

IPC分类号： H01L31/0203

CPC分类号： H01L31/0203 ,  B33Y80/00 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02325 ,  H01L2224/48227 ,  H04N5/2253 ,  H04N5/2254 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明公开了形成覆盖物和将覆盖物贴附到微电子成像单元的方法、晶片级封装微电子成像器的方法、以及具有保护图像传感器的覆盖物的微电子成像器。在一个实施方案中，一种方法，包括：提供具有多个覆盖物的第一基板，该覆盖物具有包括第一基板的区域的窗口以及从窗口突出的支架。该方法接着提供具有多个微电子管芯的第二基板，该管芯具有图像传感器、电学耦合到图像传感器的集成电路、以及电学耦合到集成电路的端子。该方法包括将覆盖物与相应管芯组装，使得窗口与相应的图像传感器对准，且支架在端子内侧且图像传感器外侧接触相应管芯。随后切割第一基板以单个化各个覆盖物，之后切割第二基板以单个化各个成像单元。

公开(公告)号：CN1784642B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200480012359.5

申请日：2004-03-12

申请人： 微米技术有限公司

发明人： K·A·坎普贝尔 ,  T·L·吉尔顿 ,  J·T·穆尔 ,  J·F·布鲁克斯

IPC分类号： G05F1/44 ,  G11C11/34 ,  H01L27/00 ,  H01L45/00 ,  C03C17/02 ,  C03C3/32

CPC分类号： C03C3/321 ,  C03C17/02 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C27/00 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1641

摘要： 本发明涉及提供二端恒流器件的方法和装置及其动作。本发明提出一种在至少约700mV的施加电压范围内维持恒定电流的恒流器件。本发明还提出改变和重设恒流器件的恒定电流值的方法，或者通过施加正电位减小恒定电流值，或者通过施加比现行恒定电流的电压范围上限更负的电压，从而重设或增加其恒定电流电平至其初始制造值。本发明还提出将存储器件形成或转变为恒流器件的方法。本发明还提出将恒流器件作为模拟存储器件使用的方法。

公开(公告)号：CN1610969B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN02826525.4

申请日：2002-11-06

申请人： 微米技术有限公司

发明人： R·H·莱恩 ,  T·麦克丹尼

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10894 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10888 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种方法和设备，它们针对在半导体器件的外围逻辑电路区域内形成金属插栓(75，76，95，96)以便接触在该外围逻辑电路区域内晶体管的N+和P+掺杂区域(25，26)两者。该金属插栓在用于晶片制造的全部高温处理完成之后形成。而且该金属插栓在没有金属扩散到该基片活性区域内的情况下形成。在从该半导体器件的顶视图观察时该金属插栓形成椭圆形小片。

公开(公告)号：CN100585808C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200480033277.9

申请日：2004-09-08

申请人： 微米技术有限公司

发明人： G·S·桑胡 ,  殷之平 ,  李伟民

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/3081 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10852

摘要： 形成具有多层的掩模结构。该掩模结构包括无定形碳层和形成在无定形碳层上的帽盖层。该无定形碳层包括透明的无定形碳。该帽盖层包括非氧化物材料。在半导体器件制造期间，该掩模结构可以用作在蚀刻处理中的掩模。