发明授权
CN1815866B 功率MOSFET驱动器及其方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 功率MOSFET驱动器及其方法
- 专利标题(英): Power MOSFET driver and method therefor
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申请号: CN200510119191.4申请日: 2005-12-16
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公开(公告)号: CN1815866B公开(公告)日: 2010-10-27
- 发明人: 保罗·J·哈里曼
- 申请人: 半导体元件工业有限责任公司
- 申请人地址: 美国亚利桑那
- 专利权人: 半导体元件工业有限责任公司
- 当前专利权人: 半导体元件工业有限责任公司
- 当前专利权人地址: 美国亚利桑那
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 张浩
- 优先权: 11/013,074 2004.12.16 US
- 主分类号: H02M3/155
- IPC分类号: H02M3/155 ; H02M1/08
摘要:
在一个实施例中,功率MOSFET驱动器使用了两个不同的电压,用于该功率MOSFET驱动器的两个输出驱动器的操作电压。
公开/授权文献
- CN1815866A 功率MOSFET驱动器及其方法 公开/授权日:2006-08-09
IPC分类: