发明公开
- 专利标题: 功率用半导体装置
- 专利标题(英): Power semiconductor apparatus
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申请号: CN200610055023.8申请日: 2006-02-24
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公开(公告)号: CN1825762A公开(公告)日: 2006-08-30
- 发明人: 上甲基信 , 福永匡则 , 谷口信刚 , 井上贵公 , 西田信也
- 申请人: 三菱电机株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人: 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 杨凯; 刘宗杰
- 优先权: 2005-050781 2005.02.25 JP
- 主分类号: H03K17/08
- IPC分类号: H03K17/08 ; H03K17/26 ; H02M1/00
摘要:
在将用于对IGBT(TR1、TR2)进行驱动控制的IPM(3-1、3-2)并联连接而构成的功率用半导体装置中,误差信号通信电路(16-1)按照IPM(3-1)中产生的保护报警信号(F0)等,将通信误差信号发送至IPM(3-2)的误差信号通信电路(16-2)。误差信号通信电路(16-2)接收从误差信号通信电路(16-1)发送的通信误差信号,按照接收到的通信误差信号进行控制,使该IPM(3-2)的驱动控制动作停止。从而,在设有并联连接的多个IPM的功率用半导体装置中,因一个IPM的保护电路动作而使其动作切断时也切断另一个IPM的动作。
公开/授权文献
- CN1825762B 功率用半导体装置 公开/授权日:2011-08-17