半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111220838B

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN201911146295.2

    申请日:2019-11-21

    IPC分类号: G01R19/00 G01R31/26

    摘要: 本发明涉及半导体装置,其目的在于得到一种能够抑制由分流电阻引起的发热、提高电流检测精度的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有:第一半导体装置;第二半导体装置;交流输出端子;第一分流电阻,其一端与第一半导体装置电连接,另一端与交流输出端子电连接;第二分流电阻,其一端与第二半导体装置电连接,另一端与交流输出端子电连接;第一配线,其将第一分流电阻的一端和第二分流电阻的一端电连接;第二配线,其将第一分流电阻的另一端和第二分流电阻的另一端电连接;以及第一感测电阻和第二感测电阻,它们在第一分流电阻的一端与第二分流电阻的一端之间相互串联连接。

    半导体装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111220838A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201911146295.2

    申请日:2019-11-21

    IPC分类号: G01R19/00 G01R31/26

    摘要: 本发明涉及半导体装置,其目的在于得到一种能够抑制由分流电阻引起的发热、提高电流检测精度的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有:第一半导体装置;第二半导体装置;交流输出端子;第一分流电阻,其一端与第一半导体装置电连接,另一端与交流输出端子电连接;第二分流电阻,其一端与第二半导体装置电连接,另一端与交流输出端子电连接;第一配线,其将第一分流电阻的一端和第二分流电阻的一端电连接;第二配线,其将第一分流电阻的另一端和第二分流电阻的另一端电连接;以及第一感测电阻和第二感测电阻,它们在第一分流电阻的一端与第二分流电阻的一端之间相互串联连接。

    功率用半导体装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1825762A

    公开(公告)日:2006-08-30

    申请号:CN200610055023.8

    申请日:2006-02-24

    IPC分类号: H03K17/08 H03K17/26 H02M1/00

    摘要: 在将用于对IGBT(TR1、TR2)进行驱动控制的IPM(3-1、3-2)并联连接而构成的功率用半导体装置中,误差信号通信电路(16-1)按照IPM(3-1)中产生的保护报警信号(F0)等,将通信误差信号发送至IPM(3-2)的误差信号通信电路(16-2)。误差信号通信电路(16-2)接收从误差信号通信电路(16-1)发送的通信误差信号,按照接收到的通信误差信号进行控制,使该IPM(3-2)的驱动控制动作停止。从而,在设有并联连接的多个IPM的功率用半导体装置中,因一个IPM的保护电路动作而使其动作切断时也切断另一个IPM的动作。