发明公开
- 专利标题： 具有双栅的多位非易失性存储器及其制造方法，以及多位单元操作方法
- 专利标题（英）： Multi-bit non-volatile memory device having a dual-gate and method of manufacturing the same, and method of multi-bit cell operation
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申请号： CN200610075856.0申请日： 2006-04-24
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公开(公告)号： CN1851903A公开(公告)日： 2006-10-25
- 发明人: 崔梁圭 , 李贤珍
- 申请人： 韩国科学技术院
- 申请人地址： 韩国大田
- 专利权人： 韩国科学技术院
- 当前专利权人： 韩国科学技术院
- 当前专利权人地址： 韩国大田
- 代理机构： 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
- 代理商 余朦; 方挺
- 优先权： 10－2005－0033697 2005.04.22 KR
- 主分类号： H01L21/8247
- IPC分类号： H01L21/8247 ; H01L21/336
摘要：
本发明涉及一种利用局部电荷俘获的具有双栅的多位非易失性存储器及其制造方法，以及多位单元操作的操作方法。
