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公开(公告)号：CN1996605B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610168097.2
申请日：2006-12-25
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/1462 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , Y10S977/762 , Y10S977/814 , Y10S977/954
摘要： 本发明提供一种互补金属氧化物半导体(简称CMOS)图像传感器及其制造方法。该图像传感器其结构包括：光接收元件，光接收元件上部末端制成的纳米柱；制造该CMOS图像传感器的方法，其步骤如下：诱导出等离子发射，进而在光接收区域形成纳米颗粒，以纳米颗粒作为掩膜蚀刻光接收区域，然后去除纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN100536152C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610090020.8
申请日：2006-06-23
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/14643
摘要： 本发明公开了一种CMOS影像感应器，它包括：基板上加工形成的光电二极管；基板上加工形成的浮动扩散放大器区，浮动扩散放大器区与光电二级管有一定的距离并且围绕着光电二级管；一个中转门，中转门与光电二极管和浮动扩散放大器区也有一定的距离，在光电二极管和浮动扩散放大器区之间形成边界区，因此，中转门与光电二级管和浮动扩散放大器区重叠。
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公开(公告)号：CN1851903A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610075856.0
申请日：2006-04-24
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7923 , H01L29/4232 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要： 本发明涉及一种利用局部电荷俘获的具有双栅的多位非易失性存储器及其制造方法，以及多位单元操作的操作方法。
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公开(公告)号：CN100499048C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610002569.7
申请日：2006-01-10
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L21/336 , B82B3/00
CPC分类号： G01N33/54373 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01N33/552 , G01N33/553 , G01N2610/00
摘要： 本发明涉及纳米间隙、纳米场效应晶体管、分子器件和生物传感器。本发明的形成纳米间隙的方法包括以下步骤：(a)在硅基材上依次形成绝缘层、第一金属层和硬掩模；(b)使用所述掩模作为蚀刻掩模部分地蚀刻所述第一金属层；(c)在所述第一金属层的侧表面上形成自组装的单层(SAM)；(d)在包括所述掩模在内的整个结构体上沉积金属，以形成第二金属层；(e)采用剥离工序通过蚀刻步骤(a)中所形成的掩模，除去沉积在所述硬掩模上的金属；以及(f)蚀刻步骤(c)中所形成的自组装的单层，以形成纳米间隙。
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公开(公告)号：CN1996605A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610168097.2
申请日：2006-12-25
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/82
CPC分类号： H01L27/1462 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , Y10S977/762 , Y10S977/814 , Y10S977/954
摘要： 本发明提供一种互补金属氧化物半导体(简称CMOS)图像传感器及其制造方法。该图像传感器其结构包括：光接收元件，光接收元件上部末端制成的纳米柱；制造该CMOS图像传感器的方法，其步骤如下：诱导出等离子发射，进而在光接收区域形成纳米颗粒，以纳米颗粒作为掩膜蚀刻光接收区域，然后去除纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN1937172A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610112308.0
申请日：2006-08-31
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/288 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01F41/00 , C01B31/02 , B82B3/00
CPC分类号： H01L21/76877 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C99/0085 , B81C2201/034 , B82Y10/00 , H01F41/041 , H01L21/76885 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/53276 , H01L51/0048 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种通过在凹槽内填充碳纳米管以制备半导体器件的方法。所述的制备半导体器件方法包括：在衬底上图形化一层掩膜；在凹槽和通过图形化形成的掩膜的整个表面覆盖碳纳米管；将覆盖在整个掩膜表面的碳纳米管填进凹槽；去掩膜。
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公开(公告)号：CN1988116B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200510132690.7
申请日：2005-12-20
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明公开了一种制造包括由硅鳍和硅主体构成的沟道的场效应晶体管的方法以及通过该方法制造的场效应晶体管，其中该硅鳍的取向与该硅主体不同。该方法包括以下步骤：(a)在包括硅薄膜的基板上形成硬掩模图案；(b)使用该掩模图案作为掩模将硅薄膜各向异性地蚀刻到预定厚度，从而不仅形成其中要形成沟道的硅鳍和其中要形成源/漏区的硅图案，而且形成将硅鳍彼此连接以形成沟道的硅主体；(c)使用有源掩模对硅薄膜进行部分蚀刻，以使源/漏区和该器件彼此隔离；以及(d)在硅沟道周围生长栅极电介质膜，并在所得到的结构上依次淀积栅极材料和栅掩模，然后形成栅区。
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公开(公告)号：CN101267002B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200810085039.2
申请日：2008-03-14
申请人： 韩国科学技术院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L29/4234 , H01L29/51 , H01L29/511 , H01L29/792 , H01L51/0046 , H01L51/0048
摘要： 本发明涉及一种非易失性存储元件及其制造方法。根据本发明的非易失性存储元件包括：衬底、形成在衬底的有源区上方的第一氧化膜、形成在有源区内的源极和漏极、形成在第一氧化膜上的电荷存储单元、设置成包围电荷存储单元并形成在第一氧化膜上的第二氧化膜、以及形成以包围第二氧化膜的栅极。在根据本发明的非易失性存储元件及包括其的元件阵列的情况下，电荷存储单元被栅极或栅极衬完全包围，由此能够使可能因形成在另一相邻栅极或栅极衬中的元件的存储运行而发生的干扰现象最小化。
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公开(公告)号：CN1996634B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610168098.7
申请日：2006-12-25
申请人： 韩国科学技术院
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/16 , Y10S977/70 , Y10S977/742 , Y10S977/75 , Y10S977/752
摘要： 本发明在于提供一种通过减少相变材料与底电极的接触区域，从而使相变存储器能够在低功率下工作并能提高综合等级的碳纳米管相变存储器及其制造方法。该相变存储器包含一电源电极，一相变材料层，一复式碳纳米管电极，及一绝缘层。该相变材料层与电源电极侧向相对；该碳纳米管电极置于电源电极及相变材料层之间；该绝缘层被制成在碳纳米管电极外部，以起到降低碳纳米管电极热量损失之作用。
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公开(公告)号：CN1996634A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610168098.7
申请日：2006-12-25
申请人： 韩国科学技术院
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/16 , Y10S977/70 , Y10S977/742 , Y10S977/75 , Y10S977/752
摘要： 本发明在于提供一种通过减少相变材料与底电极的接触区域，从而使相变存储器能够在低功率下工作并能提高综合等级的碳纳米管相变存储器及其制造方法。该相变存储器包含一电源电极，一相变材料层，一复式碳纳米管电极，及一绝缘层。该相变材料层与电源电极侧向相对；该碳纳米管电极置于电源电极及相变材料层之间；该绝缘层被制成在碳纳米管电极外部，以起到降低碳纳米管电极热量损失之作用。
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