发明授权
- 专利标题: 半导体集成电路器件的制造方法
-
申请号: CN200610087908.6申请日: 2006-06-07
-
公开(公告)号: CN1877804B公开(公告)日: 2011-12-21
- 发明人: 庄司照雄 , 长谷部昭男 , 出口善宣 , 村上元二 , 冈元正芳 , 成塚康则 , 春日部进
- 申请人: 瑞萨电子株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华
- 优先权: 168112/2005 2005.06.08 JP
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66 ; H01L21/82 ; G01R1/073 ; G01R31/26 ; G01R31/28
摘要:
通过使用利用半导体集成电路器件制造技术形成的膜探测器,将提高共同地对多个芯片所执行的探测的效率。探针卡通过使用多个推动器来形成,每个推动器由POGO针绝缘体、POGO针、FPC连接器、膜探测器HMS、缓冲薄片、缓冲板、芯片冷凝器YRS等等形成,其中一个或者两个POGO针按压设置为类似岛状的多个金属膜。在基本上与电连接到形成在膜探测器中的探针的布线的延伸方向平行的方向上,在膜探测器的区域中,形成与待测试芯片匹配的一个或者多个切口。
公开/授权文献
- CN1877804A 半导体集成电路器件的制造方法 公开/授权日:2006-12-13
IPC分类: