一种用于提供CMP系统中的制程控制的系统和方法，其使用用于修整晶片研磨垫的真空辅助设备，从而来自修整制程的流出物(即晶片碎屑、研磨浆、化学或其它副产物)从废流中转移开，而引入分析模块，进行进一步的处理。所述分析模块用于确定所述流出物内的至少一个参数，且基于分析来产生制程控制信号。所述制程控制信号然后反馈到平面化制程，以允许多种参数例如研磨浆的成分、温度、流速等的控制。所述控制信号还可用于控制制程和/或确定所述平面化制程自身的终点。