发明公开
CN1911588A 在硅光电池表面刻槽的方法及装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 在硅光电池表面刻槽的方法及装置
- 专利标题(英): Method and device for grooving on silicon photoelectric battery surface
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申请号: CN200510090092.8申请日: 2005-08-12
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公开(公告)号: CN1911588A公开(公告)日: 2007-02-14
- 发明人: 樊仲维 , 裴博 , 边强 , 赵剑波 , 石朝晖 , 崔建丰 , 张晶 , 牛岗 , 王裴峰
- 申请人: 北京国科世纪激光技术有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区上地四街1号
- 专利权人: 北京国科世纪激光技术有限公司
- 当前专利权人: 北京国科世纪激光技术有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区上地四街1号
- 代理机构: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司
- 代理商 高存秀
- 主分类号: B23K26/36
- IPC分类号: B23K26/36 ; B23K26/067 ; B23K26/06
摘要:
本发明公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工方法及装置。该方法采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和-θ,并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向,用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上,焦点位于硅片表面下方,将加工平面沿着槽线方向平移,两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本发明具有能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。
公开/授权文献
- CN100551602C 在硅光电池表面刻槽的方法及装置 公开/授权日:2009-10-21