公开(公告)号：CN100551602C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510090092.8

申请日：2005-08-12

申请人： 北京国科世纪激光技术有限公司

发明人： 樊仲维 ,  裴博 ,  边强 ,  赵剑波 ,  石朝晖 ,  崔建丰 ,  张晶 ,  牛岗 ,  王裴峰

IPC分类号： B23K26/36 ,  B23K26/067 ,  B23K26/06

摘要： 本发明公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工方法及装置。该方法采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和-θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片表面下方，将加工平面沿着槽线方向平移，两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本发明具有能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。

公开(公告)号：CN1911588A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200510090092.8

申请日：2005-08-12

申请人： 北京国科世纪激光技术有限公司

发明人： 樊仲维 ,  裴博 ,  边强 ,  赵剑波 ,  石朝晖 ,  崔建丰 ,  张晶 ,  牛岗 ,  王裴峰

IPC分类号： B23K26/36 ,  B23K26/067 ,  B23K26/06

摘要： 本发明公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工方法及装置。该方法采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和－θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片表面下方，将加工平面沿着槽线方向平移，两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本发明具有能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。

公开(公告)号：CN102544992A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110103654.3

申请日：2011-04-25

申请人： 北京国科世纪激光技术有限公司

发明人： 樊仲维 ,  闫晓超 ,  石朝晖 ,  王培峰 ,  康治军 ,  周密

IPC分类号： H01S3/04 ,  H01S3/02

摘要： 本发明涉及一种激光晶体夹具和夹持激光晶体的方法。该激光晶体夹具包括具有导热性的第一热沉、第二热沉以及堵塞部件。所述第一热沉与第二热沉扣合形成用于夹持所述包裹有薄膜导热材料的晶体的收容空间。所述第一热沉和第二热沉之中的至少一个设置有与所述收容空间连通的通孔。所述堵塞部件设置在所述通孔的远离所述收容空间的一端，用于堵塞该通孔。本发明提高了激光晶体的导热效率。

公开(公告)号：CN2845176Y

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200520104285.X

申请日：2005-08-23

申请人： 北京国科世纪激光技术有限公司

发明人： 樊仲维 ,  裴博 ,  边强 ,  赵剑波 ,  石朝晖 ,  崔建丰 ,  张晶 ,  牛岗 ,  王裴峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/302

摘要： 本实用新型公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工装置。该装置采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和－θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片表面下方，将加工平面沿着槽线方向平移，两束激光加工形成下宽上窄的线槽。该装置包括激光器、分光器件、全反射镜、聚焦透镜、两维精密工作台。本实用新型具有能够直接完成硅光电池的刻槽加工任务、成本低、效率高、加工质量容易保证等优点。