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发明授权
CN1930318B 氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法
  • 专利标题（英）： Indium oxide/cerium oxide sputtering target, transparent conductive film and process for producing transparent conductive film
  • 申请号： CN200580007545.4
    申请日： 2005-02-21
  • 公开(公告)号： CN1930318B
    公开(公告)日： 2010-09-01
  • 发明人: 井上一吉 , 松原雅人 , 笘井重和
  • 申请人： 出光兴产株式会社
  • 申请人地址： 日本国东京都
  • 专利权人： 出光兴产株式会社
  • 当前专利权人： 出光兴产株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本国东京都
  • 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
  • 代理商 朱丹
  • 优先权： 105581/2004 2004.03.31 JP
  • 国际申请： PCT/JP2005/002705 2005.02.21
  • 国际公布： WO2005/098080 JA 2005.10.20
  • 进入国家日期： 2006-09-08
  • 主分类号： C23C14/34
  • IPC分类号： C23C14/34
氧化铟-氧化铈类溅射靶及透明导电膜以及透明导电膜的制造方法
摘要：
本发明提供一种不会因利用弱酸(有机酸等)的蚀刻而产生残渣等的构成透明电极的透明导电膜。另外还提供用于制作该透明导电膜的溅射靶。本发明的溅射靶是由氧化铟和氧化铈构成的溅射靶，其特征是，当利用X射线衍射观察晶体峰时，可以观察到来源于氧化铟及氧化铈的峰的存在，并且当进行EPMA测定时，分散于氧化铟中的氧化铈粒子的直径被测定为在5μm以下。使用该溅射靶，利用溅射法形成透明导电膜。该透明导电膜基本上不会因利用弱酸(有机酸等)的蚀刻而产生残渣等。
摘要（英）：

A transparent conductive film for constructing a transparent electrode that is free from the generation of residue, etc. by etching with a weak acid (for example, organic acid). Further, there is provided a sputtering target for producing the transparent conductive film. In particular, there is provided a sputtering target composed of indium oxide and cerium oxide, characterized in that in the observation of crystal peaks by X-ray diffractometry, the presence of peaks ascribed to indium oxide and cerium oxide is observed, and that in the EPMA measure, the diameter of cerium oxide particles dispersed in indium oxide is measured as being | 5[mu]m. A transparent conductive film is formed by a sputtering technique with the use of this sputtering target. This transparent conductive film is substantially free from the generation of residue, etc. by etching with a weak acid (for example, organic acid).

公开/授权文献
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