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公开(公告)号：CN116240630A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310249208.6
申请日：2019-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
Abstract: 本发明涉及一种晶体结构化合物A，以下述组成式(2)表示，在利用下述(A)～(K)所规定的X射线(Cu‑Kα射线)衍射测量观测到的入射角(2θ)的范围内具有衍射峰。(InxGayAlz)2O3....(2)(式(2)中，0.47≤x≤0.53，0.17≤y≤0.43，0.07≤z≤0.33，x+y+z＝1。)31°～34°…(A)、36°～39°…(B)、30°～32°…(C)、51°～53°…(D)、53°～56°…(E)、62°～66°…(F)、9°～11°…(G)、19°～21°…(H)、42°～45°…(I)、8°～10°…(J)、17°～19°…(K)。
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公开(公告)号：CN115340360A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211043880.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本申请提供氧化物烧结体、该烧结体的制造方法及溅射靶。本申请提供适合在显示装置用氧化物半导体膜的制造中使用的氧化物烧结体及溅射靶，所述溅射靶具有高导电性、放电稳定性优异。一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110234789B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201880009025.4
申请日：2018-01-23
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C23C14/08 , H01B1/08 , H01L21/363
Abstract: 一种氧化物半导体膜，其特征在于，以满足下述式(1)～(3)的范围的原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，并且，以满足下述式(4)的范围的原子比含有Al，0.05≦Al/(In+Ga+Sn+Al)≦0.30…(4)。
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公开(公告)号：CN112512974A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050314.3
申请日：2019-08-01
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C01G15/00 , C04B35/01 , C30B29/22 , H01L21/363
Abstract: 本发明涉及一种化合物，由铟元素(In)、镓元素(Ga)、铝元素(Al)以及氧元素(O)形成，晶格常数为α＝111.70±0.50°，β＝107.70±0.50°以及γ＝90.00±0.50°，晶系呈现出三斜晶系。
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公开(公告)号：CN102916052B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210417892.6
申请日：2009-09-15
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及具有以氧化铟作为主成分、且含有正3价的金属氧化物的结晶质氧化铟半导体膜的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN102105619B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200980129196.1
申请日：2009-06-05
Applicant: 出光兴产株式会社
IPC: C23C14/34 , C04B35/00 , H01L21/363
CPC classification number: H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , C04B37/026 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/40 , C04B2235/5409 , C04B2235/5436 , C04B2235/6027 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6586 , C04B2235/661 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/963 , C04B2235/9661 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02631 , H01L29/7869 , Y10T428/31507
Abstract: 本发明是提供可抑制使用溅射法的氧化物半导体膜成膜时产生异常放电，可连续稳定成膜的溅射靶。提供具有稀土氧化物C型的结晶结构、表面无白点（溅射靶表面上所产生的凹凸等的外观不良）的溅射靶用的氧化物。本发明提供具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，铟（In）、镓（Ga）及锌（Zn）的组成量为以原子比表示满足下式。In/(In+Ga+Zn)
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公开(公告)号：CN101916743B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201010237355.4
申请日：2007-04-10
Applicant: 出光兴产株式会社
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/029 , G09G2320/0295 , G09G2320/043 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/7869
Abstract: 电流控制用TFT基板制造方法，层叠导电体层及第1抗蚀剂层，用第1掩模形成扫描线、开关管栅极及栅极线；层叠开关管栅极绝缘膜；层叠具有非晶Si或多晶Si的活性层或氧化物半导体层、导电体层及第2抗蚀剂层，用第2半色调掩模形成数据线、开关管源极线、源极、沟道部、漏极、漏极线、驱动管栅极线及栅电极；层叠驱动管栅极绝缘膜；层叠氧化物半导体层及第3抗蚀剂层，用第3掩模形成驱动管活性层；层叠氧化物导电体层及第4抗蚀剂层，用第4掩模或第4半色调掩模形成EL驱动线、驱动管源极线、源极、沟道部、漏极、漏极线及像素电极；和层叠绝缘保护膜及第5抗蚀剂层，用第5掩模使扫描线用凸台、数据线用凸台、EL驱动线用凸台及像素电极露出。
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