发明公开
- 专利标题： 在电接触的被掩埋材料上具有有源区的横向介电隔离的集成电路以及制造方法
- 专利标题（英）： Integrated circuit comprising laterally dielectrically isolated active regions above an electrically contacted buried material, and method for producing the same
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申请号： CN200580009361.1申请日： 2005-01-21
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公开(公告)号： CN1934696A公开(公告)日： 2007-03-21
- 发明人: 福尔克尔·杜德克
- 申请人： ATMEL德国有限公司
- 申请人地址： 德国海尔布隆
- 专利权人： ATMEL德国有限公司
- 当前专利权人： ATMEL德国有限公司
- 当前专利权人地址： 德国海尔布隆
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 曾立
- 优先权： 102004004512.7 2004.01.23 DE
- 国际申请： PCT/EP2005/000571 2005.01.21
- 国际公布： WO2005/071737 DE 2005.08.04
- 进入国家日期： 2006-09-22
- 主分类号： H01L21/74
- IPC分类号： H01L21/74 ; H01L21/62
摘要：
说明了一种集成电路，具有由有源半导体材料构成的第一层(12)，该第一层沿着埋层(16)的一个第一面(14)延伸；并且具有沟槽结构(18，38)，这些沟槽结构将由有源半导体材料构成的所述层(12)切穿并且具有介电壁区域(42，44)，其中该介电壁区域(42，44)在横向上将由有源半导体材料构成的所述层(12)的部分区域(52，54，56)彼此电隔离，并且其中这些沟槽结构(18，38)还具有第一内部区域(46)，这些第一内部区域以导电材料而填满并且导电地接触所述埋层(16)。该集成电路的特点在于，这些沟槽结构(18，38)的第一壁区域(42)将所述埋层(16)完全切穿，并且所述沟槽结构(18，38)的第二壁区域(44)伸入到所述埋层(16)中，而没有将其完全切断。此外还说明了一种用于制造这种集成电路的方法。
IPC分类:
