公开(公告)号：CN1741400B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200510099408.X

申请日：2005-08-29

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： 乌尔里希·弗里德里希 ,  米夏埃尔·潘格斯

IPC分类号： H04B1/59

CPC分类号： G06K7/10059 ,  G06K7/0008 ,  G06K7/10039 ,  G06K19/0723

摘要： 本发明涉及通过基站从多个应答器中选择一个或多个应答器的方法，它以基于时隙的ALOHA-选择方法为基础，其中基站预给定一些编号的时隙，及在相应的应答器中产生的随机数确定一个时隙，在该时隙中应答器向基站发送其应答器特定的识别信息。根据本发明，在应答器中借助随机数发生器产生随机数，在接收到由基站发送的选择命令后，随机数发生器被切换到计数器工作状态中，在其期间当基站传输时隙的开始时，随机数发生器的计数器读数递增或递减，当其随机数发生器的计数器读数等于预定的值时，应答器向基站传送识别信息，及应答器接着又被切换到用于产生随机数的工作状态。本发明还涉及其在基于应答器的识别系统和远程传感器中的应用。

公开(公告)号：CN100466289C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200610153123.4

申请日：2006-12-07

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： 弗朗茨·迪茨 ,  米夏埃多·格拉夫 ,  斯特凡·施万特斯

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0696 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明说明了一种横向DMOS晶体管(10)，具有一个第一导电类型的第一区域(12)，该第一区域被一个第二导电类型的第二区域(14)在侧面围绕，其中在两个区域(12，14)之间的一个边界线(16)具有彼此相对的直的区段(16.1)以及将这些直的区段(16.1)相连接的、至少部分弯曲的区段(16.2)，该DMOS晶体管(10)还具有一个用作场区的第一介电结构(20)，该第一介电结构被嵌入该第一区域(12)中并且围绕该第一区域的一个部分区域(22)。该晶体管(10)的特征在于，该第一介电结构和该边界线之间的一个第一距离(d1)沿着这些直的区段(16.1)比沿着这些弯曲的区段(16.2)大。

公开(公告)号：CN100440479C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200510006288.4

申请日：2005-02-02

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： 福尔克尔·杜德克

IPC分类号： H01L21/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7824 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/78603

摘要： 本发明提出一种MOS晶体管(12)，它具有在一个SOI晶片(10)中的一个源极区(20)，一个栅极区(22)，一个漏极区(24)及一个漂移区(26，28)，其中SOI晶片具有一个载体层(14)，该载体层载有一个绝缘的中间层(16)并且其中该绝缘的中间层载有一个有源半导体层(18)，在该有源半导体层中横向不同的掺杂剂浓度确定了源极区(20)，漂移区(26，28)及漏极区(24)，及其中有源半导体层(18)至少在漂移区(26，28)的一部分中比在源极区(20)中厚。该MOS-晶体管(12)的其特征在于：有源半导体层(18)在垂直方向上完全通过绝缘的中间层(16)与衬底(18)分隔。此外还提出用于制造这种晶体管的方法。

公开(公告)号：CN101243665A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200680029364.6

申请日：2006-05-31

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： F·珀格尔 ,  T·费尔希兰德 ,  T·哈努施

IPC分类号： H04L27/233 ,  H04B1/707

CPC分类号： H04L27/2331 ,  H04B1/707 ,  H04B1/70735

摘要： 本发明涉及一种检测单元，用于检测包含于差分解调的信号中的数据符号，在发送侧可给这些数据符号各指配一个来自序列库中的PN序列。根据本发明的检测单元具有以下单元：a)序列提供单元，其被构造用于提供第三组的被导出的序列，其中第三组对于每个第一PN序列都具有被导出的序列，该被导出的序列被分配给该第一PN序列，并且可以由该第一PN序列借助逻辑运算来导出，然而该导出的序列与第一PN序列不相同，并且其中第三组的被导出的序列仅仅通过其码片值的循环推移来彼此区分，b)与序列提供单元相连接的相关单元，其被构造用于通过将被差分解调的信号与第三组的每个被导出的序列相关来计算相关结果，以及c)与相关单元相连接的分析单元，其被构造用于通过分析相关结果来推导数据符号的值。本发明此外还涉及一种带有这种检测单元的发送/接收装置和集成电路。

公开(公告)号：CN100392816C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410079827.2

申请日：2004-09-20

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： 弗朗茨·迪茨 ,  福尔克尔·杜德克 ,  米夏埃多·格拉夫

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66659 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76237 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/7835

摘要： 本发明涉及在半导体衬底(12)中制造半导体元件的方法，具有以下步骤：在半导体衬底(12)内形成具有不同导电类型的阱(32，34)及形成沟状结构(36，60)，其中阱(32，34)通过注入及向内扩散(26，44)入掺杂剂来产生，及产生半导体衬底(12)中的有源区及它们的接触结构。该方法的特征在于：向内扩散(26，44)通过至少两个高温步骤来产生，其中至少一个第一向内扩散(26)通过在产生沟状结构(36，60)以前的一个第一高温步骤来进行，及其中至少一个第二向内扩散(44)通过在产生沟状结构(36，60)以后的一个第二高温步骤来进行。

公开(公告)号：CN101189846A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019545.0

申请日：2006-05-31

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： F·珀格尔 ,  E·萨克塞 ,  M·施密特

IPC分类号： H04L27/233 ,  H04B1/707

CPC分类号： H04B1/707

摘要： 本发明涉及一种用于检测包含在所接收的无线电信号中的数据符号的方法，其中在发送侧为每个数据符号指配一个由在码片时钟上相继的PN码片构成的、符号值特定的PN序列，并且对被指配给数据符号的PN序列进行偏移QPSK调制。本发明的用于非相干检测的方法规定：将接收的无线电信号转化为以码片时钟被采样的复数基带信号；通过以码片时钟被采样的复数基带信号的差分解调来生成解调的信号；提供被导出的序列；通过将被解调的信号与被导出的序列进行相关来计算相关结果；以及通过分析相关结果来导出、即检测数据符号的值。在此，每个被导出的序列被分配给一个在发送侧可指配的PN序列并由被导出的码片构成，这些码片的值各相应于这样的在发送侧可指配的PN序列的相应的PN码片的一个逻辑运算，其中被导出的序列被分配给该PN序列。本发明还涉及一种相应的接收单元。

公开(公告)号：CN101165703A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710192871.8

申请日：2004-01-12

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： 梅尔廷·菲舍尔 ,  乌尔里希·弗里德里克

IPC分类号： G06K7/10 ,  G06K19/07 ,  H03C5/00

CPC分类号： G06K7/10861 ,  G06K19/0723 ,  H03C5/00

摘要： 本发明涉及一种用于发送和接收装置的振幅键控的调制装置，该调制装置根据待向基站传输的数据调制由基站发射的电磁波，及具有：一个整流器，它包括一个多级倍压电路，其中：该多级倍压电路的一个级的一个节点与一个开关装置相连接，该开关装置根据一个控制信号使所述节点与一个参考电位相连接。

公开(公告)号：CN101156339A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200680011435.X

申请日：2006-04-01

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： A·莱斯特纳 ,  C·胡贝尔

IPC分类号： H04B15/06 ,  H03J1/00

CPC分类号： H03J1/0083 ,  H04B15/06 ,  H04B2215/066

摘要： 说明了一种用于变换在接收系统(10)中的第一本机振荡器(60)的频率的方法，其中该接收系统包括具有第一本机振荡器(60)和第一频率调节环节(66)的第一接收机(12)，以及具有第二本机振荡器(62)和第二频率调节环节的第二接收机(14)。该方法的特征在于，在将第一本机振荡器(60)的频率从第一本机振荡器(60)的当前频率(F1)转换到目标频率(F3)时，其中第二本机振荡器(62)的当前频率(F2)处于第一本机振荡器(60)的当前频率(F1)和该目标频率(F3)之间，执行以下步骤：关断第一本机振荡器(60)，这样地控制第一频率调节环节(66)，使得第一频率调节环节(66)提供频率调节量(v－tune)的分配给目标频率(F3)的第一基本值，接通第一本机振荡器(60)，并且将第一本机振荡器(60)的频率调节到目标频率(F3)。此外说明了一种接收系统10。

公开(公告)号：CN101044675A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580035663.6

申请日：2005-10-13

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： 弗伦茨·贝克

IPC分类号： H03F1/02 ,  H03F3/45

CPC分类号： H03F3/343 ,  H03F1/0261 ,  H03F3/3435 ,  H03F3/4508 ,  H03F2200/93

摘要： 提出了一种电子电路(12)的电流和/或电压控制的控制电路(10)，具有输入级(72)，该输入级具有至少一个输入端(68)，一个供电电压端子(76)，一个放大器元件(78)和一个部分电路(80)，其中放大器元件(78)具有工作电流区段和控制端子(82)，其中所述部分电路(80)将偏压施加到控制端子(82)上，并且其中所述输入端(68)与所述控制端子(82)相连接。控制电路的特征在于，部分电路(80)提供偏压，该偏压与施加于供电电压端子(76)上的供电电压以及放大器元件(78)的电流增益无关。

公开(公告)号：CN1934696A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009361.1

申请日：2005-01-21

申请人： ATMEL德国有限公司

发明人： 福尔克尔·杜德克

IPC分类号： H01L21/74 ,  H01L21/62

CPC分类号： H01L21/763 ,  H01L21/76286

摘要： 说明了一种集成电路，具有由有源半导体材料构成的第一层(12)，该第一层沿着埋层(16)的一个第一面(14)延伸；并且具有沟槽结构(18，38)，这些沟槽结构将由有源半导体材料构成的所述层(12)切穿并且具有介电壁区域(42，44)，其中该介电壁区域(42，44)在横向上将由有源半导体材料构成的所述层(12)的部分区域(52，54，56)彼此电隔离，并且其中这些沟槽结构(18，38)还具有第一内部区域(46)，这些第一内部区域以导电材料而填满并且导电地接触所述埋层(16)。该集成电路的特点在于，这些沟槽结构(18，38)的第一壁区域(42)将所述埋层(16)完全切穿，并且所述沟槽结构(18，38)的第二壁区域(44)伸入到所述埋层(16)中，而没有将其完全切断。此外还说明了一种用于制造这种集成电路的方法。