发明公开
- 专利标题: 半导体集成电路器件的制造方法
- 专利标题(英): Method of producing semiconductor integrated circuit device and method of producing multi-chip module
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申请号: CN200610096000.1申请日: 2001-08-15
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公开(公告)号: CN1945438A公开(公告)日: 2007-04-11
- 发明人: 寺泽恒男 , 田中稔彦 , 宫崎浩 , 长谷川升雄 , 森和孝
- 申请人: 株式会社日立制作所
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社日立制作所
- 当前专利权人: 瑞萨电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 季向冈
- 优先权: 246466/2000 2000.08.15 JP
- 分案原申请号: 031051936
- 主分类号: G03F7/20
- IPC分类号: G03F7/20 ; G03F7/004 ; H01L21/00
摘要:
本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法,到半导体衬底上的晶体管结构的制造为止是相同的工艺,在布线加工中分成多个种类来制造多种产品,其特征在于,包括下列步骤:为了对上述多种产品形成公共结构的图形,使用将金属膜作为曝光不透明膜的第一光掩膜,在形成于上述半导体衬底上的第一感光膜上进行曝光的步骤;为了在上述多种产品上形成按每个种类而不同的图形,使用将有机感光树脂膜作为曝光不透明膜的孔或布线图形用的第二光掩膜,在形成在上述半导体衬底上的第二感光膜上进行曝光的步骤。由此,改善了半导体集成电路器件的生产率。
公开/授权文献
- CN100451841C 半导体集成电路器件的制造方法 公开/授权日:2009-01-14