发明公开
- 专利标题: 半导体元件
- 专利标题(英): Semiconductor element
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申请号: CN200610162516.1申请日: 2004-05-26
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公开(公告)号: CN1953167A公开(公告)日: 2007-04-25
- 发明人: 胁坂伸治 , 伊藤智宏 , 横山茂 , 桑原治
- 申请人: 卡西欧计算机株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 卡西欧计算机株式会社
- 当前专利权人: 青井电子株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 胡建新
- 优先权: 147448/2003 2003.05.26 JP; 320581/2003 2003.09.12 JP
- 分案原申请号: 2004100631607
- 主分类号: H01L23/485
- IPC分类号: H01L23/485 ; H01L23/544
摘要:
本发明涉及半导体元件,在柱电极形成后,能可靠地识别调整标记,并高效率地进行调整,其具有:半导体衬底,具有多个半导体元件形成区域及至少一个调整标记形成区域;多个连接焊盘;绝缘膜;多个柱电极;及用于进行暂时调整的暂时调整用柱电极和用于进行正式调整的正式调整用柱电极,形成在各调整标记形成区域内的绝缘膜的上侧,而且个数少于在各半导体元件形成区域内形成的柱电极,正式调整用柱电极的平面尺寸小于暂时调整用柱电极;密封膜,由有机树脂形成,且形成在各个半导体元件形成区域内的柱电极之间、并在各调整标记形成区域内的调整用柱电极的外部;其中,各调整用柱电极的上表面被露出到外部,而且与密封膜的上表面成齐平面。
公开/授权文献
- CN100499094C 半导体元件 公开/授权日:2009-06-10
IPC分类: