发明公开
- 专利标题： 基于氮化物的半导体发光二极管
- 专利标题（英）： Nitride semiconductor light emitting device for flip-chip
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申请号： CN200610150297.5申请日： 2006-10-17
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公开(公告)号： CN1953223A公开(公告)日： 2007-04-25
- 发明人: 李赫民 , 申贤秀 , 金昌完 , 金容天
- 申请人： 三星电机株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电机株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理商 李伟
- 优先权： 10－2005－0097407 2005.10.17 KR
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L23/488
摘要：
本发明涉及基于氮化物的半导体LED，其通过凸起焊球倒装芯片连接在衬底的引线图案上，包括：基板；形成在基板上的发光结构；形成在发光结构上的电极；保护膜，其形成在所获得的具有在其中形成有电极的结构上，该保护膜暴露电极表面，该电极表面对应于通过凸起焊球连接至衬底的引线图案的部分；以及栅格形缓冲膜，其形成在通过保护膜暴露的电极表面上。
公开/授权文献
- CN1953223B 基于氮化物的半导体发光二极管 公开/授权日：2010-06-23
IPC分类:
