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公开(公告)号：CN100530728C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710165915.8
申请日：2007-11-02
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置，该方法包括：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离发光结构；在发光结构上形成导电衬底；抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度；通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构；选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分；以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。
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公开(公告)号：CN1945865A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610140022.3
申请日：2006-10-08
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本发明公开了一种基于氮化物的半导体LED，其包括：基板；n型氮化物半导体层，形成在基板上；有源层和p型氮化物半导体层，顺序地形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p电极焊盘，形成在透明电极上，该p电极焊盘与p型氮化物半导体层的外缘线隔开50至200μm；以及n电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN1953223B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200610150297.5
申请日：2006-10-17
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/488
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/17 , H01L33/62 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及基于氮化物的半导体LED，其通过凸起焊球倒装芯片连接在衬底的引线图案上，包括：基板；形成在基板上的发光结构；形成在发光结构上的电极；保护膜，其形成在所获得的具有在其中形成有电极的结构上，该保护膜暴露电极表面，该电极表面对应于通过凸起焊球连接至衬底的引线图案的部分；以及栅格形缓冲膜，其形成在通过保护膜暴露的电极表面上。
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公开(公告)号：CN101174664A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710165915.8
申请日：2007-11-02
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： 提供了一种制造氮化物半导体发光装置的方法以及通过该方法制造的氮化物半导体发光装置，该方法包括：通过在用于氮化物单晶生长的预备衬底上顺序地生长第一导电氮化物层、有源层以及第二导电型氮化物层而形成发光结构；根据最终发光装置的尺寸分离发光结构；在发光结构上形成导电衬底；抛光预备衬底的底面以减小预备衬底的厚度；通过加工预备衬底而形成不平坦的表面结构；选择性地移除预备衬底以露出第一导电型氮化物层的部分；以及在第一导电型氮化物层的通过选择性移除所述预备衬底而露出的部分上形成电极。
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公开(公告)号：CN1841797A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610001476.2
申请日：2006-01-17
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种具有矩形俯视外形的氮化物半导体发光器件，其中n电极和p电极结果被适当地形成，以改善电流的传播并增强亮度。该发光器件包括：n型氮化物半导体层，形成于衬底上；以及n电极，包括n侧焊盘和从n侧焊盘延伸出的指型n电极。该器件还包括：台面结构，包括按顺序沉积的有源层和p型氮化物半导体层；欧姆接触层，形成于台面结构的基本全部上表面上；以及p电极，包括p侧焊盘以及从p侧焊盘延伸出的指型p电极。
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公开(公告)号：CN1945865B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610140022.3
申请日：2006-10-08
申请人： 三星电机株式会社
摘要： 本发明公开了一种基于氮化物的半导体LED，其包括：基板；n型氮化物半导体层，形成在基板上；有源层和p型氮化物半导体层，顺序地形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p电极焊盘，形成在透明电极上，该p电极焊盘与p型氮化物半导体层的外缘线隔开50至200μm；以及n电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN100420051C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200610001476.2
申请日：2006-01-17
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种具有矩形俯视外形的氮化物半导体发光器件，其中n电极和p电极结果被适当地形成，以改善电流的传播并增强亮度。该发光器件包括：n型氮化物半导体层，形成于衬底上；以及n电极，包括n侧焊盘和从n侧焊盘延伸出的指型n电极。该器件还包括：台面结构，包括按顺序沉积的有源层和p型氮化物半导体层；欧姆接触层，形成于台面结构的基本全部上表面上；以及p电极，包括p侧焊盘以及从p侧焊盘延伸出的指型p电极。
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公开(公告)号：CN1953225A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610150604.X
申请日：2006-10-17
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 一种基于氮化物的半导体LED包括：衬底；在衬底上形成的n型氮化物半导体层；在n型氮化物半导体层的预定区域上形成的有源层；形成在有源层上的p型氮化物半导体层；在p型氮化物半导体层上形成的电流扩散层；在电流扩散层上形成的p电极，该p电极具有两个p型分支电极；以及在其上没有形成有源层的n型氮化物半导体层上形成的n电极，该n电极具有一个n型分支电极。n型分支电极形成为插入在两个p型分支电极之间，并且从接近n电极的透明电极的最外侧到p电极的距离在任何位置处都相等。
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公开(公告)号：CN1953223A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610150297.5
申请日：2006-10-17
申请人： 三星电机株式会社
IPC分类号： H01L33/00 , H01L23/488
CPC分类号： H01L33/44 , H01L24/17 , H01L33/62 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及基于氮化物的半导体LED，其通过凸起焊球倒装芯片连接在衬底的引线图案上，包括：基板；形成在基板上的发光结构；形成在发光结构上的电极；保护膜，其形成在所获得的具有在其中形成有电极的结构上，该保护膜暴露电极表面，该电极表面对应于通过凸起焊球连接至衬底的引线图案的部分；以及栅格形缓冲膜，其形成在通过保护膜暴露的电极表面上。
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