发明授权
- 专利标题： 有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物
- 专利标题（英）： Organic silica film, method for forming the same, wiring structure, semiconductor device, and composition for film formation
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申请号： CN200580015093.4申请日： 2005-04-28
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公开(公告)号： CN1957020B公开(公告)日： 2011-06-08
- 发明人: 秋山将宏 , 中川恭志 , 山中达也 , 盐田淳 , 黑泽孝彦
- 申请人： JSR株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： JSR株式会社
- 当前专利权人： JSR株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 苗堃; 刘继富
- 优先权： 141200/2004 2004.05.11 JP; 050590/2005 2005.02.25 JP
- 国际申请： PCT/JP2005/008223 2005.04.28
- 国际公布： WO2005/108468 JA 2005.11.17
- 进入国家日期： 2006-11-10
- 主分类号： C08G77/50
- IPC分类号： C08G77/50 ; C08G77/42 ; C08L83/14 ; C09D183/14 ; H01B3/46 ; H01L21/312
摘要：
本发明的有机二氧化硅系膜的形成方法包括在基材上形成包含具有-Si-O-Si-结构和-Si-CH2-Si-结构的硅化合物的涂膜的工序、加热上述涂膜的工序和对上述涂膜照射紫外线来进行硬化处理的工序。
公开/授权文献
- CN1957020A 有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物 公开/授权日：2007-05-02
