发明公开
CN1974880A 电化学法制备多孔硅的双槽装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 电化学法制备多孔硅的双槽装置
- 专利标题(英): Dual bath apparatus for porous silicon preparing electrochemical process
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申请号: CN200610129434.7申请日: 2006-11-16
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公开(公告)号: CN1974880A公开(公告)日: 2007-06-06
- 发明人: 胡明 , 张绪瑞 , 张伟
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市卫津路92号
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市卫津路92号
- 代理机构: 天津市鼎和专利商标代理有限公司
- 代理商 李凤
- 主分类号: C25F3/12
- IPC分类号: C25F3/12 ; C25F7/00
摘要:
本发明涉及一种电化学法制备多孔硅的双槽装置,属于制备多孔硅的装置。该双槽装置包括槽体,在槽体内开设固定插槽,在固定插槽上插入“凹”形基板,采用螺钉将压板基板及垫板连接为一体,在由基板与压板及垫板所构成的凹形槽之间,设置一个开设多个平行腐蚀窗口的夹板,和另一个带有有鱼眼坑的多个平行的腐蚀窗口的夹板。本发明的优点在于:结构简单,操作方便;使用过程中不需要考虑硅衬底背面金属化问题,制备多孔硅工艺简单;所制得的多孔硅的孔径尺寸大小均匀,孔隙率和多孔硅层厚度均匀。
公开/授权文献
- CN1974880B 电化学法制备多孔硅的双槽装置 公开/授权日:2010-05-12