发明授权
- 专利标题: 发光元件材料和发光元件
- 专利标题(英): Light-emitting device material and light-emitting device
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申请号: CN200580023508.2申请日: 2005-05-19
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公开(公告)号: CN1984897B公开(公告)日: 2010-10-27
- 发明人: 村濑清一郎 , 北泽大辅 , 长尾和真 , 杉本和则 , 富永刚
- 申请人: 东丽株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 东丽株式会社
- 当前专利权人: 出光兴产株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 吴娟; 李平英
- 优先权: 151463/2004 2004.05.21 JP; 160734/2004 2004.05.31 JP
- 国际申请: PCT/JP2005/009118 2005.05.19
- 国际公布: WO2005/113531 JA 2005.12.01
- 进入国家日期: 2007-01-12
- 主分类号: C07D307/91
- IPC分类号: C07D307/91 ; C07D333/76 ; C07D405/04 ; C07D409/10 ; C09K11/06 ; H05B33/14 ; H05B33/22
摘要:
本发明涉及发光元件材料,其特征在于:该发光元件材料含有下述通式(1)或通式(3)所示蒽化合物,通过本发明可得到具有高发光效率和优异耐久性的发光元件。式(1)中R1-R10为氢、烷基、环烷基、杂环基等,R1-R10中的至少一个为通式(2)所示的取代基;式(2)中R11-R18为氢、烷基、环烷基。X为氧原子或硫原子,Y为单键,亚芳基或亚杂芳基。R11-R18中的任一个用于与Y连接,α用于与蒽骨架连接;式(3)中R19-R37为氢、烷基、环烷基、杂环基等。n为1或2。A为亚杂芳基或亚芳基,R19-R27中的任一个及R28-R37中的任一个用于与A连接。
公开/授权文献
- CN1984897A 发光元件材料和发光元件 公开/授权日:2007-06-20