公开(公告)号：CN115698691A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180040225.8

申请日：2021-06-10

申请人： 东丽株式会社

发明人： 增田佳丈 ,  赤松贵文 ,  鹤田彰宏 ,  平井孝佳 ,  内藤孝二郎 ,  村濑清一郎

IPC分类号： G01N27/12

摘要： 本发明提供一种能够选择性地识别物质的器件用材料、传感器用材料、传感器元件及气体传感器。本发明的电子器件用材料包括n型半导体以及半导体型碳纳米管的纯度为80质量％以上的碳纳米管。

公开(公告)号：CN107431096B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201680017448.1

申请日：2016-03-28

申请人： 东丽株式会社

发明人： 清水浩二 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01L29/861 ,  C08G61/12 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

摘要： 整流元件，所述整流元件具有：绝缘性基材；(a)由第一电极和第二电极形成的一对电极；和(b)设置在所述一对电极之间的半导体层，所述(a)一对电极、和所述(b)半导体层被设置在所述绝缘性基材的第1表面上，所述(b)半导体层包含共轭系聚合物附着于碳纳米管表面的至少一部分而得到的碳纳米管复合体。本发明以简便的工艺提供显示出优异的整流作用的整流元件。

公开(公告)号：CN107407885B

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN201680016780.6

申请日：2016-03-15

申请人： 东丽株式会社

发明人： 饭原明宏 ,  久世康典 ,  村濑清一郎

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/00

摘要： 印刷版用硅酮组合物，其是至少包含含SiH基的化合物、下述通式（I）表示的化合物、以及下述通式（II）表示的化合物和/或下述通式（III）表示的化合物的印刷版用硅酮组合物，前述通式（I）表示的化合物的D、前述通式（II）表示的化合物的G和前述通式（III）表示的化合物的J为乙酰氧基和/或二烷基肟基。A‑Si‑（D）3（I）（通式（I）中，A表示与SiH基进行氢化硅烷化反应的非水解性的官能团。）E‑Si‑（G）3（II）（通式（II）中，E表示不与SiH基进行氢化硅烷化反应的非水解性的官能团。）Si‑（J）4（III）提供用于得到虽然是高速固化型的硅橡胶层、但与下层的粘接性优异、而且斥墨性、耐损伤性也优异的平版印刷版原版或平版印刷版的印刷版用硅酮组合物。

公开(公告)号：CN110809807A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201880043692.4

申请日：2018-06-22

申请人： 东丽株式会社

发明人： 河井翔太 ,  胁田润史 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01B13/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11507 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01Q1/38 ,  H05K3/10

摘要： 本发明的目的是提供导电膜、和不伴随高温并且长时间的加热处理而通过短时间的光照射可以获得导电性良好的导电膜或导电图案的导电膜的制造方法、以及使用了这样的导电膜的制造方法的场效应型晶体管的制造方法、和无线通信装置的制造方法。用于达到上述目的的本发明的导电膜的制造方法是下述导电膜的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布含有用碳单质进行了表面被覆的导电性粒子的导电性糊剂而形成涂布膜的工序；以及向上述涂布膜照射闪光的工序。

公开(公告)号：CN109964327A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201780070725.X

申请日：2017-11-16

申请人： 东丽株式会社

发明人： 崎井大辅 ,  村濑清一郎 ,  胁田润史

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L21/312 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

摘要： 本发明提供能够进行半导体溶液的均匀涂布、迟滞减小、栅极绝缘层的耐裂纹性提高的场效应晶体管及其生产率优异的制造方法。本发明为场效应晶体管，其特征在于，至少具备：基板；源电极、漏电极及栅电极；与上述源电极及漏电极接触的半导体层；和使上述半导体层与上述栅电极绝缘的栅极绝缘层，上述栅极绝缘层含有至少具有通式(1)表示的结构单元的聚硅氧烷。通式(1)中，A1表示下述有机基团：具有至少两个羧基、磺基、硫醇基、酚式羟基或它们的衍生物的有机基团；或者具有至少一个这些基团在A1内缩合为环状而成的官能团或它们的衍生物的有机基团。

公开(公告)号：CN108475642A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007670.8

申请日：2017-01-19

申请人： 东丽株式会社

发明人： 清水浩二 ,  村濑清一郎 ,  崎井大辅

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

摘要： 本发明以简便的工艺提供优异的互补型半导体元件。n型半导体元件，其为具备基材、和位于上述基材上的源电极、漏电极、栅电极、栅极绝缘层、半导体层的n型驱动半导体元件，在上述半导体层的与上述栅极绝缘层相反的一侧含有第2绝缘层，所述第2绝缘层含有包含碳原子与氮原子形成的键的有机化合物，上述半导体层含有在表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体。

公开(公告)号：CN108026399A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053606.9

申请日：2016-09-20

申请人： 东丽株式会社

发明人： 井上武治郎 ,  辻祐一 ,  村濑清一郎 ,  定国广宣

IPC分类号： C09D11/101 ,  B41M1/08 ,  C09D11/107

摘要： 提供除了兼具高灵敏度的活性能量射线固化性和水洗性之外、印刷时的污脏耐性和固化膜的耐水性也优异的平版印刷用墨水、平版墨水用清漆、和印刷物的制造方法。平版印刷用墨水包含：(a)颜料、(b)具有烯属不饱和基团和亲水性基团的树脂，其兼具高灵敏度的活性能量射线固化性和水洗性，进一步，印刷时的污脏耐性和固化膜的耐水性也优异。

公开(公告)号：CN107925147A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048331.X

申请日：2016-08-10

申请人： 东丽株式会社

发明人： 胁田润史 ,  清水浩二 ,  村濑清一郎

IPC分类号： H01P11/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/09 ,  G06K19/077 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H05K1/09 ,  H05K1/16

CPC分类号： G03F7/031 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/09 ,  G03F7/094 ,  G03F7/095 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/322 ,  G06K19/077 ,  G06K19/07722 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/66 ,  H01L29/786 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/05 ,  H01L2223/6677 ,  H01P11/00 ,  H01Q1/2208 ,  H01Q1/38 ,  H01Q7/00 ,  H05K1/09 ,  H05K1/16 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/954

摘要： 本发明的目的在于提供利用涂布法而精度良好地形成天线基板或带有布线和电极的天线基板的方法。本发明的方式之一为包括以下工序的带有布线和电极的天线基板的制造方法。(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2-B)将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-C)将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。

公开(公告)号：CN105408245A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480041646.2

申请日：2014-07-17

申请人： 东丽株式会社

发明人： 村濑清一郎 ,  矶贝和生 ,  清水浩二

IPC分类号： C01B31/02 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0049 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/174 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/72 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/94 ,  G01N27/4146 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0093 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/105 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/932

摘要： 本发明涉及一种碳纳米管复合体，其为在表面的至少一部分上附着有有机基团的碳纳米管复合体，其中，在所述碳纳米管复合体的至少一部分中含有选自羟基、羧基、氨基、巯基、磺基、膦酸基、它们的有机盐或无机盐、甲酰基、马来酰亚胺基和琥珀酰亚胺基中的至少一种官能团。

公开(公告)号：CN105190901A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480014315.X

申请日：2014-03-11

申请人： 东丽株式会社

发明人： 村濑清一郎 ,  山本真衣子 ,  真多淳二 ,  清水浩二

IPC分类号： H01L29/786 ,  C08G79/00 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01B3/46 ,  C08K5/05 ,  C08K5/56 ,  C08L83/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/052

摘要： 一种场效应晶体管，具有栅极绝缘层、栅电极、半导体层、源电极及漏电极，其特征在于，上述栅极绝缘层包含含有硅-碳键的有机化合物、和含有金属原子-氧原子键的金属化合物，在上述栅极绝缘层中，相对于碳原子和硅原子的总量100重量份而言，上述金属原子的含量为10～180重量份。根据所述场效应晶体管，提供迁移率高、阈值电压低且漏电流被抑制的FET。