互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
摘要:
本发明提供一种互补金属氧化物半导体(简称CMOS)图像传感器及其制造方法。该图像传感器其结构包括:光接收元件,光接收元件上部末端制成的纳米柱;制造该CMOS图像传感器的方法,其步骤如下:诱导出等离子发射,进而在光接收区域形成纳米颗粒,以纳米颗粒作为掩膜蚀刻光接收区域,然后去除纳米颗粒。
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