发明授权
CN1996605B 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
- 专利标题(英): Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same
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申请号: CN200610168097.2申请日: 2006-12-25
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公开(公告)号: CN1996605B公开(公告)日: 2010-05-19
- 发明人: 崔梁圭 , 金局奂
- 申请人: 韩国科学技术院
- 申请人地址: 韩国大田广域市儒城区九城洞373番地1号
- 专利权人: 韩国科学技术院
- 当前专利权人: 韩国科学技术院
- 当前专利权人地址: 韩国大田广域市儒城区九城洞373番地1号
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 臧建明
- 优先权: 10-2006-0001335 2006.01.05 KR
- 主分类号: H01L27/146
- IPC分类号: H01L27/146 ; H01L21/82
摘要:
本发明提供一种互补金属氧化物半导体(简称CMOS)图像传感器及其制造方法。该图像传感器其结构包括:光接收元件,光接收元件上部末端制成的纳米柱;制造该CMOS图像传感器的方法,其步骤如下:诱导出等离子发射,进而在光接收区域形成纳米颗粒,以纳米颗粒作为掩膜蚀刻光接收区域,然后去除纳米颗粒。
公开/授权文献
- CN1996605A 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法 公开/授权日:2007-07-11
IPC分类: