实用新型
CN201134410Y 面阵离子存储系统
失效 - 权利终止
- 专利标题: 面阵离子存储系统
- 专利标题(英): Storage system of front-side ion
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申请号: CN200720190921.4申请日: 2007-12-27
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公开(公告)号: CN201134410Y公开(公告)日: 2008-10-15
- 发明人: 李元景 , 陈志强 , 张清军 , 彭华 , 代主得 , 毛绍基 , 林德旭
- 申请人: 同方威视技术股份有限公司 , 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 专利权人: 同方威视技术股份有限公司,清华大学
- 当前专利权人: 同方威视技术股份有限公司,清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 王波波
- 主分类号: H01J49/00
- IPC分类号: H01J49/00 ; H01J49/42 ; B01D59/00 ; B01D59/44 ; G01N27/64
摘要:
公开了一种面阵离子存储系统,该系统包括:离子产生部分;离子存储部分,包括:与离子产生部分电连接的第一端电极,形成为具有多个孔;第二端电极,形成为具有多个孔;中间电极,形成为具有多个孔;第一绝缘体,形成为环状,夹在第一端电极和中间电极之间,且使得二者绝缘;第二绝缘体,形成为环状,夹在中间电极和第二端电极之间,且使得二者绝缘。根据本实用新型,由于将离子存储部分作的比较薄,方便离子的引出的一致性,减小了离子迁移谱峰的展宽。另外,由于第一绝缘体和第二绝缘体具有一个大孔,离子在存储空间震荡或热运动的时候,避免了与两边的绝缘材料碰撞,从而防止造成电荷转移和绝缘体上的电荷堆积放电造成的存储不稳和离子损失。