实用新型
CN202043092U 用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路
失效 - 权利终止
- 专利标题: 用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路
- 专利标题(英): Charge self-compensating Domino circuit for low-power-consumption VLSI
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申请号: CN201020574370.3申请日: 2010-10-15
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公开(公告)号: CN202043092U公开(公告)日: 2011-11-16
- 发明人: 汪金辉 , 吴武臣 , 侯立刚 , 宫娜 , 耿淑琴 , 张旺 , 袁颖
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 魏聿珠
- 主分类号: H03K19/017
- IPC分类号: H03K19/017 ; H03K19/096
摘要:
本实用新型涉及用于低功耗VLSI的电荷自补偿多米诺电路,是种电荷自补偿多米诺电路,即在多米诺电路中加入电荷自补偿通路,利用P型多米诺电路动态结点的放电对N型多米诺电路的动态结点充电,电荷自补偿通路包括:P型时钟控制的自补偿通路,由PMOS管PP,NMOS管NP1和NP2组成,NP1的栅极为时钟信号控制端;N型时钟控制的自补偿通路,由PMOS管PN1和PN2,NMOS管NN组成,PN2的栅极为时钟信号控制端。电荷自补偿通路位于P型动态结点和N型动态结点之间。本实用新型提出的多米诺电路节约充放电功耗,提高电路的性能。