公开(公告)号：CN118199616B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410361571.1

申请日：2024-03-27

申请人： 苏州纳芯微电子股份有限公司

发明人： 杨清山 ,  刘晨旭

IPC分类号： H03K19/0185 ,  H03K19/017

摘要： 本发明揭示了一种电平移位电路及控制方法，电平移位电路包括：第一输入开关、第一控制开关和第一电阻；第一控制开关的控制端通过第一电阻连接第二高电平，第一控制开关的第一端连接第二高电平，第一控制开关的第二端连接第二低电平；第二控制开关的控制端通过第二电阻连接第二高电平，第二控制开关的第一端连接第二高电平，第二控制开关的第二端连接第二低电平；第一控制开关的控制端和第二控制开关的控制端在连接第一低电平时导通；第一信号输入端处和第二信号输入端处信号相反；第二低电平大于第一低电平。本发明提供的电平移位电路，能够加速电平翻转，提升响应速度、降低能耗。

公开(公告)号：CN118118005A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410286667.6

申请日：2024-03-13

申请人： 禾润电子科技(嘉兴)股份有限公司

发明人： 卢炜超 ,  沈林峰 ,  史佳卉 ,  潘晓斌 ,  封姣姣 ,  张焘

IPC分类号： H03K19/0185 ,  H03K19/017 ,  H03K19/003

摘要： 本发明公开了电平转换器及其转换方法，电平转换器的转换方法，包括步骤S1：将电平转换主体电路和RS锁存电路进行连接，电平转换主体电路包括晶体管P1‑P6、晶体管N1‑N8、三极管B1‑B2以及寄生电容C1‑C2，电平转换主体电路的输出端HS_DR_PRE与RS锁存电路的第一输入端连接并且电平转换主体电路的输出端HS_DRB_PRE与RS锁存电路的第二输入端连接。本发明公开的电平转换器及其转换方法，其设计带补偿的电平转换器，实现了从固定电源域低压信号向高压高速时钟电源域的转换，使得正确的信号更加正确，错误的信号无法进入最终的控制信号，避免了整个电路的工作异常，特别是避免了功率管开关出错，导致高低端功率管贯通的风险。

公开(公告)号：CN117728794A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311730136.3

申请日：2023-12-15

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 林伟峰 ,  林中瑀 ,  陈婷婷 ,  何秋秀 ,  蔡国文

IPC分类号： H03H17/02 ,  H03K19/0175 ,  H03K19/017 ,  H03M1/10 ,  H03M1/12 ,  G01R31/3835

摘要： 本发明公开一种用于电池组监控芯片中的滤波器，属于数字滤波领域，通过采用3级级联积分梳状滤波器对模数转换器采集的电池组电压数据进行降采样滤波处理。该滤波器改进了3级级联积分梳状抽取滤波器的结构，采用将第3级积分器分段处理以及复用减法器的方法，减少了硬件开销，充分利用硬件资源；增加了对于电池组电压数据的实时校准算法，解决电压数据收集过程中出现的信号波动、信号温漂等不稳定问题，能够更加精确的监测电池组的电压数据。另外，本发明设计了0V电压校准算法，以避免工艺以及多路选择器高低两侧通道电压的不对称造成的电池电压采集误差。

公开(公告)号：CN117713795A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311720867.X

申请日：2023-12-14

申请人： 中国电子科技集团公司第五十八研究所

发明人： 李毅超 ,  陈彦杰 ,  李现坤

IPC分类号： H03K19/0175 ,  H03K19/017

摘要： 本发明公开一种宽电压域电平转换电路，属于模拟电路领域，包括电压控制模块、电平转换锁存模块和输出驱动模块。电压控制模块根据输出结构的电源电压是否会使第一反相器的输出信号发生翻转，控制电平转换锁存模块中部分器件的工作状态，形成不同的工作状态；电平转换锁存模块根据电压控制模块的输出信号选择低压域电平转换或高压域电平转换，快速将低压控制信号转换为目标电压域的输出控制信号；其中低压域电平转换电路用于低压情况下第一反相器的输出端为高时的电源域转换；高压域电平转换电路用于高压情况下第一反相器的输出端为低时的电压域转换；输出驱动模块将输出结构的电源电压转换为输出信号的电压给后端电路提供负载电流。

公开(公告)号：CN117526923A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311607401.9

申请日：2023-11-28

申请人： 上海集成电路研发中心有限公司

发明人： 任永旭 ,  严慧婕 ,  何学红 ,  皮常明

IPC分类号： H03K19/0185 ,  H03K19/017 ,  H03K19/003 ,  H03K19/20

摘要： 本发明提供了一种电平转换电路，包括负高压电荷泵、负高压建立标识延时电路和负高压电平转换器，所述负高压电荷泵用于输出下端电压，所述负高压建立标识延时电路用于跟随所述下端电压的变化以输出上端电压，所述负高压电平转换器用于在所述下端电压和所述上端电压的作用下实现电平转换功能，其中，所述负高压电荷泵由泵使能电压控制，当所述泵使能电压为第一电平时，所述下端电压为第一电平，所述上端电压为第二电平，当所述泵使能电压为第二电平，所述下端电压为第三电平，所述上端电压为第一电平，所述第二电平高于所述第一电平，所述第一电平高于第三电平，能够降低两端电压差，提高芯片的使用寿命。

公开(公告)号：CN116633340A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310762526.2

申请日：2023-06-27

申请人： 桂林电子科技大学

发明人： 岳宏卫 ,  韦家锐 ,  韦善于 ,  许仕海

IPC分类号： H03K19/017 ,  H03K19/20 ,  H03K19/094 ,  H03K19/003

摘要： 本发明公开了一种宽范围高速双输出电平移位电路，属于模拟集成电路技术领域。本发明提出的宽范围高速双输出电平移位电路，NOMS管MN1和NOMS管MN2使用低电压阈值类型的管子，从而较低的输入信号也能使电路开启。另外还引入了瞬态增强结构和正反馈结构，由NMOS管MN3和NMOS管MN4构成的两个瞬态增强结构，在输入电平跳变时实现快速转换，并且在电路稳定之后关闭。由PMOS管MP1和PMOS管MP2构成的正反馈结构，加快了输入电平到输出电平的转换速度。接在NMOS管MN1漏极和NMOS管MN2漏极之间的反相器B进一步加快了MD2节点到达高电平的稳态速度。电阻R1和PMOS管MP3组成的通路能将MD2节点的电平快速拉高，电阻R2和PMOS管MP4组成的通路能将MD1节点的电平快速拉高。NMOS管MN5导通时可以将MD2节点的电平快速拉低。因此，本发明不仅具有宽输入范围和输出快速转换的优势，而且还能同时输出逻辑相反的两个信号。

公开(公告)号：CN112929017B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202110141961.4

申请日：2021-02-02

申请人： 同源微(北京)半导体技术有限公司

发明人： 王海强 ,  王洪波 ,  曹海祥

IPC分类号： H03K19/017

摘要： 本发明的一个实施例公开了一种提升复位速度的积分器电路，电路包括：放大器，包括反向输入端、正向输入端、输出端和复位端；积分电容阵列；第一开关；和第二开关；积分电容阵列的第一端、第一开关的第一端和第二开关的第二端连接反向输入端；积分电容阵列的第二端和第一开关的第二端连接输出端；第二开关的第一端接收电流输入信号；正向输入端接收参考电压；在粗复位阶段，第一开关接收有效的第一复位信号，复位端接收有效的第二复位信号，使得输出端输出的电压输出信号接近参考电压；在精复位阶段，第一开关继续接收有效的第一复位信号，复位端不再接收有效的第二复位信号，使得输出端输出的电压输出信号相较于粗复位阶段更接近参考电压。

公开(公告)号：CN107888179B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201710824613.0

申请日：2017-09-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 田边昭

IPC分类号： H03K19/017 ,  H03K19/0185

摘要： 本公开涉及半导体装置。现有技术的反向偏置生成电路由于驱动功率降低以降低待机状态下的功耗而导致在操作状态和待机状态之间转变需要较长时间的问题。反向偏置生成电路输出预定电压。预定电压是待机模式下的衬底的反向偏置电压。偏置控制电路当电路块处于操作模式时存储电荷，当电路块从操作模式转变到待机模式时，将所存储的电荷供应给包括在电路块中的MOSFET的衬底，随后将反向偏置生成电路的输出供应给MOSFET的衬底。

公开(公告)号：CN116346122A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310275240.1

申请日：2023-03-21

申请人： 北京炎黄国芯科技有限公司

发明人： 郭虎 ,  王照新 ,  李建伟 ,  蔡彩银

IPC分类号： H03K19/0185 ,  H03K19/017 ,  H03K19/003

摘要： 本发明公开了一种用于高压到低压的电平转换电路，主要解决现有电平转换电路较大的传输延时导致其无法实现可靠的电平转换问题。该电路包括MOS管M1~MOS管M12和反相器INV1；将多个MOS管进行交叉耦合结构的连接输入信号依次通过输入反相器电路、电平转换电路和输出反相器电路后，实现信号由高压到低压的转换。本发明采用低阈值NMOS管拓宽了电压范围；采用使能控制降低了电路静态功耗，减少了电路中PMOS管的受压，从而利用PMOS管改善响应速度提高转换速率，提升了电平转换电路工作的稳定性。因此，适宜推广应用。

公开(公告)号：CN114567292B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202210455592.0

申请日：2022-04-28

申请人： 深圳比特微电子科技有限公司

发明人： 田文博 ,  龚川 ,  范志军 ,  杨作兴 ,  郭海丰

IPC分类号： H03K3/037 ,  H03K3/012 ,  H03K19/0944 ,  H03K19/017

摘要： 本公开涉及静态锁存器以及包括静态锁存器的处理器和计算装置。提供了一种静态锁存器，包括：输入级，用于接收锁存器输入（D）；输出级，用于输出锁存器输出（Q）；中间节点（B），设置于所述输入级的输出和所述输出级的输入之间，其中，所述输出级接收所述中间节点处的信号作为输入；以及反馈级，接收所述锁存器输出，并提供反馈到所述中间节点，其中，所述反馈级和输入级具有逻辑高状态、逻辑低状态和高阻状态。