实用新型
CN202564376U 氮化物半导体元件及氮化物半导体封装
失效 - 权利终止
- 专利标题: 氮化物半导体元件及氮化物半导体封装
- 专利标题(英): Nitride semiconductor element and nitride semiconductor packaging
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申请号: CN201120465900.5申请日: 2011-11-16
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公开(公告)号: CN202564376U公开(公告)日: 2012-11-28
- 发明人: 高堂真也 , 伊藤范和 , 山口敦司
- 申请人: 罗姆股份有限公司
- 申请人地址: 日本京都
- 专利权人: 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人: 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本京都
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 章蕾
- 优先权: 2010-255912 2010.11.16 JP
- 主分类号: H01L29/778
- IPC分类号: H01L29/778 ; H01L29/06 ; H01L29/205
摘要:
本新型提供一种氮化物半导体元件及氮化物半导体封装。在基板(41)上形成包含AlN层(47)、第一AlGaN层(48)(平均Al组成50%)及第二AlGaN层(49)(平均Al组成20%)的缓冲层(44)。在缓冲层(44)上形成包含GaN电子移动层(45)及AlGaN电子供给层(46)的元件动作层。借此,构成HEMT元件(3)。使用本新型的氮化物半导体元件则GaN电子移动层的厚度的设计自由度高,所以能够提供耐压优秀的封装。而且,可以减轻氮化物半导体元件的GaN电子移动层的龟裂及Si基板的翘曲,所以能够提供可靠性高的封装。