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公开(公告)号：CN116057651A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180058769.7
申请日：2021-07-21
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01F17/00
Abstract: 本公开的线圈部件包括：利用来自外部的输入电流来产生磁场的一次绕组；和流通由所述磁场产生的感应电流的二次绕组。所述一次绕组包括在第1方向上看分别为环状的多个一次侧第1环绕部和多个一次侧第2环绕部。所述二次绕组包括在所述第1方向上看分别为环状的多个二次侧第1环绕部和多个二次侧第2环绕部。所述多个一次侧第1环绕部和所述多个二次侧第1环绕部在所述第1方向上交替地排列，构成第1筒状部。所述多个一次侧第2环绕部和所述多个二次侧第2环绕部在所述第1方向上交替地排列，构成第2筒状部。所述第2筒状部在所述第1方向上看位于所述第1筒状部的内方。在所述多个一次侧第1环绕部的每一个中流通的所述输入电流的流向，与在所述多个一次侧第2环绕部的每一个中流通的所述输入电流的流向为相同方向。
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公开(公告)号：CN101305478A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041787.X
申请日：2006-11-07
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/78 , H01L33/0095 , H01L33/44
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，即使是电极相对设置、并且通过蚀刻形成有芯片分离用或激光剥离用的分离槽的氮化物半导体发光元件，也不会对发光区域造成损伤，也不会劣化。在n型氮化物半导体层(2)上，从p侧看在越过活性层(3)的区域形成有台阶(A)。通过保护绝缘膜(6)，n型氮化物半导体层(2)的局部、活性层(3)、p型氮化物半导体层(4)、p电极(5)的侧面和p电极(5)的上侧局部被覆盖到该台阶(A)的部分。通过用保护绝缘膜(6)覆盖芯片侧面的结构，在通过蚀刻形成芯片分离用或激光剥离用分离槽的情况下，活性层(3)等不会长时间曝露于蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN101116192A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680004342.4
申请日：2006-02-07
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制法，该氮化物半导体发光元件的结构能够有效地取出在半导体叠层部与基板内反复进行全反射而衰减的光线，提高外部量子效率。在例如由蓝宝石等构成的基板(1)的表面上，设有包括由氮化物半导体构成的第一导电型层和第二导电型层的半导体叠层部(6)，与该半导体叠层部(6)的表面侧的第一导电型层(例如p型层5)电连接地设有第一电极(例如p侧电极8)，与第二导电型层(例如n型层3)电连接地形成有第二电极(例如n侧电极9)。然后，通过蚀刻除去半导体叠层部(6)的一部分，使得在半导体叠层部(6)的至少芯片周围，半导体叠层部以柱状林立的柱状部(6a)残留，柱状部(6a)周围的n型层(3)露出。
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公开(公告)号：CN118198850A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410322107.1
申请日：2019-11-20
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01S5/02345
Abstract: 半导体激光装置(A1)具备半导体激光元件(4)、具有栅极电极(52)、源极电极(53)及漏极电极(54)的开关元件(5)、以及具有构成通向开关元件(5)及半导体激光元件(4)的导通路径的导电部(3)且支撑半导体激光元件(4)及开关元件(5)的支撑部件(1)。导电部(3)具有从半导体激光元件(4)分离的主面第一部(311)。半导体激光装置(A1)具备连接于开关元件(5)的源极电极(53)和半导体激光元件(4)的一个以上的第一引线(71)以及连接于开关元件(5)的源极电极(53)和导电部(3)的主面第一部(311)的一个以上的第二引线(72)。通过这样的结构，能够实现半导体激光装置(A1)的电感成分的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111433897A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880079373.9
申请日：2018-11-26
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872 , H02M7/12
Abstract: 通过本发明的一方案提供的半导体整流器具备晶体管以及二极管。上述晶体管具有源电极、漏电极以及门电极。上述二极管具有阳电极以及阴电极。上述阳电极与上述门电极导通，上述阴电极与上述源电极导通。
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公开(公告)号：CN116458021A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180075683.5
申请日：2021-10-27
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01S5/02234
Abstract: 本发明的半导体发光装置(10)包括：具有基板主面(21)的基板(20)；半导体发光元件(60)，其搭载在基板主面(21)，具有与基板主面(21)朝向相同侧的发光元件主面(61)，和朝向与发光元件主面(61)交叉的方向的成为发光面的发光元件侧面(63)；搭载在基板主面(21)、用于驱动半导体发光元件(60)的作为驱动元件的开关元件(70)和电容器(80)；覆盖发光元件侧面(63)的透光部件(90)，其由比基板(20)的线膨胀系数大、且使从发光元件侧面(63)射出的光透过的材料构成；和密封树脂(100)，其由比透光部件(90)的线膨胀系数小的材料构成，密封半导体发光元件(60)、开关元件(70)和电容器(80)。
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公开(公告)号：CN113169513A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079570.5
申请日：2019-11-20
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01S5/02345
Abstract: 半导体激光装置(A1)具备半导体激光元件(4)、具有栅极电极(52)、源极电极(53)及漏极电极(54)的开关元件(5)、以及具有构成通向开关元件(5)及半导体激光元件(4)的导通路径的导电部(3)且支撑半导体激光元件(4)及开关元件(5)的支撑部件(1)。导电部(3)具有从半导体激光元件(4)分离的主面第一部(311)。半导体激光装置(A1)具备连接于开关元件(5)的源极电极(53)和半导体激光元件(4)的一个以上的第一引线(71)以及连接于开关元件(5)的源极电极(53)和导电部(3)的主面第一部(311)的一个以上的第二引线(72)。通过这样的结构，能够实现半导体激光装置(A1)的电感成分的降低。
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公开(公告)号：CN101689587B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200880020331.4
申请日：2008-05-14
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其能够增大向外部照射的光量。半导体发光元件(1)具有：衬底(2)、n型半导体层(3)、发光层(4)、p型半导体层(5)、n侧电极(6)、n侧焊盘电极(7)、p侧电极(8)、反射层(9)和p侧焊盘电极(10)。n侧焊盘电极(7)通过n侧电极(6)与n型半导体层(3)电连接。p侧焊盘电极(10)通过p侧电极(8)与p型半导体层(5)电连接。与n型半导体层(3)连接的n侧焊盘电极(7)的连接面(7a)，配置在将衬底(2)四等分的第一区域(Ar1)～第四区域(Ar4)中靠近箭头B方向一侧的短边(2b)的第一区域(Ar1)，并且与p型半导体层(5)连接的p侧焊盘电极(10)的连接面(10a)配置在最靠近箭头A方向的短边(2b)的第四区域(Ar4)。
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公开(公告)号：CN101351899B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200680049842.X
申请日：2006-12-28
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L2933/0083
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件和其制法，通过在设置在由氮化物半导体构成的发光元件的表面上的透光性导电层上形成凹凸，由发光层发出的光不会在半导体叠层部和基板内反复进行全反射而衰减，能够有效地取出光，提高外部量子效率。在基板(1)的一个面上，包括n型层(3)和p型层(5)的氮化物半导体层以形成发光层的方式进行叠层，从而形成半导体叠层部(6)，在该半导体叠层部的表面侧设置有透光性导电层(7)。在该透光性导电层的表面上形成凹凸的图案：凹部(7a)。在透光性导电层上设置有p侧电极(8)，蚀刻半导体叠层部的一部分，设置有与露出的n型层电连接的n侧电极(9)。
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