实用新型
- 专利标题: 一种IGBT退饱和检测电路
- 专利标题(英): IGBT moves back saturated detection circuitry
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申请号: CN201420696184.5申请日: 2014-11-19
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公开(公告)号: CN204536486U公开(公告)日: 2015-08-05
- 发明人: 夏一帆 , 张新林 , 王宇 , 王征宇 , 肖业
- 申请人: 湖南南车时代电动汽车股份有限公司
- 申请人地址: 湖南省株洲市国家高新技术开发区栗雨工业园五十七区
- 专利权人: 湖南南车时代电动汽车股份有限公司
- 当前专利权人: 湖南中车商用车动力科技有限公司
- 当前专利权人地址: 412000 湖南省株洲市天元区马家河街道仙月环路899号新马动力创新园2.1期A研发厂房201号
- 代理机构: 北京聿宏知识产权代理有限公司
- 代理商 朱绘; 张文娟
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26 ; G01R19/165
摘要:
本实用新型公开了一种IGBT退饱和检测电路,该检测电路包括电压比较器,电压比较器的第一输入端与IGBT的集电极连接,第二输入端与预设电压源连接。该检测电路结构简单,能够快速、可靠、有效地检测出IGBT退饱和现象,从而有助于避免因IGBT退饱和而导致电路中元器件的损坏。