实用新型
- 专利标题: 片上螺旋变压器器件结构
- 专利标题(英): Spiral transformer device structure on piece
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申请号: CN201620424331.2申请日: 2016-05-11
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公开(公告)号: CN205692679U公开(公告)日: 2016-11-16
- 发明人: 高向东 , 李俊 , 王涛 , 陈正才 , 陈慧蓉 , 马慧红
- 申请人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新区信息产业科技园A座二层203室
- 专利权人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 当前专利权人: 无锡中微晶园电子有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市新区信息产业科技园A座二层203室
- 代理机构: 无锡市大为专利商标事务所
- 代理商 曹祖良
- 主分类号: H01F30/06
- IPC分类号: H01F30/06 ; H01F27/28
摘要:
本实用新型提供一种片上螺旋变压器器件结构,所述器件由若干个器件单元体并联而成,其特征在于:所述器件单元体包括衬底、绝缘氧化层、第一金属层、二氧化硅层、第一连线孔、第二金属层、聚酰亚胺、第三金属层和第二连线孔,第二金属层有三个,中间和右侧的第二金属层通过第一连线孔与第一金属层连接,第三金属层有三个,左侧和右侧的第三金属层通过第二连线孔分别与左侧和右侧的第二金属层连接,用于引出次级线圈,中间的第三金属层用于引出初级线圈。本实用新型提出的八边形片上螺旋变压器,器件结构新颖且性能优越,使用Al‑Si‑Cu作为金属线圈,不但可以和常规CMOS生产线兼容,且金属线宽控制的精度较高,降低了制作工艺的难度,同时降低了制作成本。