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公开(公告)号：CN105869827B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610236012.3
申请日：2016-04-15
申请人： 无锡中微晶园电子有限公司
摘要： 本发明提供一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体及制作方法，所述器件单元体包括衬底、绝缘氧化层、第一金属层、第一二氧化硅层、第一氮化硅层、聚酰亚胺、第二金属层、第二二氧化硅层和第二氮化硅层，其特征在于：所述第一金属层和聚酰亚胺依次被第一二氧化硅层和第一氮化硅层隔开的，第二金属层和聚酰亚胺依次被第二二氧化硅层和第二氮化硅层隔开的。本发明应用在片上螺旋变压器，铜作为电感线圈，聚酰亚胺作为线圈间介质，采用金属铜与聚酰亚胺之间的阻挡层结构，可以有效防止铜扩散到聚酰亚胺中，提高器件的耐压，改善器件的性能。
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公开(公告)号：CN105448978A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610008449.1
申请日：2016-01-06
申请人： 无锡中微晶园电子有限公司 , 中国电子科技集团公司第五十八研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/0684 , H01L29/66462
摘要： 本发明公开了一种用于硅衬底集成mHEMT器件的外延层结构及其生长方法，属于高性能半导体集成的技术领域。外延层结构，包括：P型硅衬底，以及，在P型硅衬底层上依次生长形成的：GaAs成核层、第六缓冲层、第五缓冲层、InGaAs应力释放层、第四缓存层、第三缓冲层、第二缓存层、第一缓冲层、InGaAs沟道层、InAlAs隔离层、硅delta掺杂层、InAlAs势垒层、重掺杂了硅的InGaAs帽层，第一缓冲层为高温InAlAs缓冲层，第二缓冲层为低温变组分InAlAs缓存层，第五缓冲层、第三缓冲层均为高温InP缓冲层，第六缓冲层、第四缓冲层均为低温InP缓冲层。利用本发明的外延层结构成功外延了二维电子气浓度高且沟道电子迁移率大的mHEMT器件。
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公开(公告)号：CN105869827A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610236012.3
申请日：2016-04-15
申请人： 无锡中微晶园电子有限公司
CPC分类号： H01F17/0006 , H01F27/2804 , H01F41/041 , H01F2017/0073 , H01F2017/0086 , H01F2027/2809 , H01L23/645 , H01L28/10
摘要： 本发明提供一种包含有金属、聚酰亚胺及阻挡层结构的器件单元体及制作方法，所述器件单元体包括衬底、绝缘氧化层、第一金属层、第一二氧化硅层、第一氮化硅层、聚酰亚胺、第二金属层、第二二氧化硅层和第二氮化硅层，其特征在于：所述第一金属层和聚酰亚胺依次被第一二氧化硅层和第一氮化硅层隔开的，第二金属层和聚酰亚胺依次被第二二氧化硅层和第二氮化硅层隔开的。本发明应用在片上螺旋变压器，铜作为电感线圈，聚酰亚胺作为线圈间介质，采用金属铜与聚酰亚胺之间的阻挡层结构，可以有效防止铜扩散到聚酰亚胺中，提高器件的耐压，改善器件的性能。
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公开(公告)号：CN205692679U
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201620424331.2
申请日：2016-05-11
申请人： 无锡中微晶园电子有限公司
摘要： 本实用新型提供一种片上螺旋变压器器件结构，所述器件由若干个器件单元体并联而成，其特征在于：所述器件单元体包括衬底、绝缘氧化层、第一金属层、二氧化硅层、第一连线孔、第二金属层、聚酰亚胺、第三金属层和第二连线孔，第二金属层有三个，中间和右侧的第二金属层通过第一连线孔与第一金属层连接，第三金属层有三个，左侧和右侧的第三金属层通过第二连线孔分别与左侧和右侧的第二金属层连接，用于引出次级线圈，中间的第三金属层用于引出初级线圈。本实用新型提出的八边形片上螺旋变压器，器件结构新颖且性能优越，使用Al‑Si‑Cu作为金属线圈，不但可以和常规CMOS生产线兼容，且金属线宽控制的精度较高，降低了制作工艺的难度，同时降低了制作成本。
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