本实用新型揭露了一种射频开关，其包括：衬底；电阻；形成于所述衬底内的衬底接触区，其通过所述电阻连接至接地端；和形成于衬底内的多个射频开关单元；其中每个射频开关单元包括形成于所述衬底内的深N阱区、形成于深N阱区内的P阱区、形成于深N阱区内的深N阱接触区、形成于P阱区内的间隔的N+源极区、N+漏极区和P阱接触区、位于P阱区的上方且位于N+源极区和N+漏极区之间的栅极氧化层、位于栅极氧化层上方的多晶硅栅极。本实用新型中的衬底通过一个大电阻与接地端相连，这样就阻止了交流信号泄放到地，即将衬底的交流电位悬浮，提高了射频开关的正向通路和反向通路的耐压，也提高了射频开关的最大耐受功率。